УФ фотоприемники с барьером Шоттки на основе селенида цинка
Махний В.П.1
1Черновицкий государственный университет, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 10 апреля 1997 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1998 г.
Приведены результаты исследований свойств УФ фотоприемников на основе селенида цинка. Рассмотрено влияние параметров диодной структуры, температуры и напряжения на основные характеристики и парамет-ры фотодетекторов.
- Стафеев В.И., Анисимова И.Д. // ФТП. 1994. Т. 28. Вып. 3. С. 461--466
- Анисимова И.Д., Викулин И.М., Заитов Ф.А., Курмашев Ш.Д. Полупроводниковые фотоприемники: ультрафиолетовый, видимый и ближний инфракрасный диапазоны спектра. М.: Радио и связь, 1984. 216 с
- Чопра К., Дас С. Тонкопленочные солнечные элементы / Под ред. М.М. Колтуна. Пер. с англ. М.: Мир, 1986. 435 с
- Махний В.П., Мельник В.В. // ФТП. 1995. Т. 29. Вып. 8. С. 1468--1472
- Курносов А.И. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. М.: Высшая школа, 1980. 327 с
- Родерик Э.Х. Контакты металл--полупроводник / Под ред. Г.В. Степанова. Пер. с англ. М.: Радио и связь, 1982. 208 с
- Рвачев В.П. Введение в биофизическую фотометрию. Изд-во Львовского ун-та, 1966. 378 с
- Махний В.П., Мельник В.В. Патент Украiни. N 9412810. Приоритет от 20.12.1994
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук