Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Негомогенное распределение поглощенной энергии в высокоомных материалах при воздействии импульсного электронного пучка
Штанько В.Ф.1, Глыбин В.Г.1, Толмачев В.М.1
1Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия 
Поступила в редакцию: 28 ноября 1996 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1998 г.
Приведены экспериментальные результаты изменения оптических характеристик фторида лития после воздействия на него пучком электронов переменной плотности с энергией импульса близкой к порогу разрушения материала. Исследовано пространственное распределение центров окраски, в частности, вблизи каналов пробоя. Обсуждаются механизмы неоднородного накопления дефектов и основные причины, определяющие негомогенное распределение энергии при воздействии сильноточного электронного пучка. Приведены конкретные результаты расчета распределения напряженности поля в кристалле LiF в процессе облучения в модели "однородного" и неоднородного заряжения образца. Показано, что вблизи канала пробоя наблюдается резкое увеличение напряженности электрического поля.
- Oswald R.B. // JEEE Trans. Nucl. Sci. 1966. Vol. NS-13. N 6. P. 63--69
- Высокоэнергетическая электроника твердого тела / Под ред. Д.И. Вайсбурда. Новосибирск: Наука, 1982. 227 с
- Пикоев А.К., Кабакичи С.А., Макаров И.Е. и др. Импульсный радиолиз и его применение. М.: Атомиздат, 1980. 279 с
- Алукер Э.Д., Гаврилов В.В., Дайч Р.Г. и др. Быстропротекающие радиационно-стимулированные процессы в щелочно-галоидных кристаллах. Рига: Зинатне, 1987. 183 с
- Олешко В.И., Штанько В.Ф. // ЖТФ. 1987. Т. 57. Вып. 9. С. 1857--1858
- Штанько В.Ф., Олешко В.И., Инякин В.Н. // ФХОМ. 1988. N 6. С. 11--13
- Штанько В.Ф., Олешко В.И. // ЖТФ. 1989. Т. 59. Вып. 3. С. 99--105
- Олешко В.И., Штанько В.Ф. // ФТТ. 1987. Т. 29. Вып. 2. С. 320--324
- Аккерман А.Ф., Никитушев Ю.М., Ботвин В.А. Решение методом Монте-Карло задач переноса быстрых электронов в веществе. Алма-Ата: Наука, 1972. 163 с
- Sternheimer R.M. // Phys. Rev. 1966. Vol. 145. N 1. P. 247--250.
- Штанько В.Ф., Толмачев В.М., Глыбин В.Г. Деп. в ВИНИТИ, 1995. 3452-В95. 35 с
- Поттер Д. Вычислительные методы в физике. М.: Мир, 1975. 392 с
- Гурский А.Л., Луценко Е.В., Яблонский Г.П. Препринт ИФ АН БССР. N 607. Минск, 1990. 47 с
- Олешко В.И., Штанько В.Ф. // ЖТФ. 1990. Т. 60. Вып. 2. С. 185--186
- Воробьев А.А. Физические свойства ионных кристаллических диэлектриков. Томск: ТГУ, 1960. 232 с
- Воробьев А.А., Воробьев Г.А. Электрический пробой и разрушение твердых диэлектриков. М.: Высшая школа, 1966. 224 с
- Nahum J. // Phys. Rev. 1967. Vol. 158. N 3. P. 814--825
- Алукер Э.Д., Лусис Д.Ю., Чернов С.А. Электронные возбуждения и радиолюминесценция щелочно-галоидных кристаллов. Рига: Зинатне, 1979. 252 с
- Delbecg C.J. // Phes. 1963. Vol. 171. N 3. P. 560--581
- Farge Y., Lambert M., Smoluchowski R. // Sol. St. Commun. 1966. Vol. 4. N 7. P. 333--336
- Адуев Б.П., Вайсбурд Д.И. // ФТТ. 1978. Т. 20. Вып. 12. С. 3739--3740
- Адуев Б.П., Вайсбурд Д.И. // ФТТ. 1981. Т. 23. Вып. 6. С. 1869--1871
- Олешко В.И., Штанько В.Ф. // ЖТФ. 1986. Т. 56. Вып. 6. С. 1235--1236
- Фок М.Б. // Тр. ФИАН им. П.Н. Лебедева. 1972. Т. 59. С. 3--24
- Okada M., Atobe K., Nakogawa M. // Intern. Conf. on Defects in Jnsul. Crystals. Gatlinburg (USA), 1977. P. 321
- Kondo Y., Hivai M., Ueta M. // J. Phys. Soc. Jap. 1972. Vol. 151. P. 33--37
- Штанько В.Ф., Олешко В.И., Толмачев В.М. // ФХОМ. 1991. N 2. С. 53--56
- Смирнов Б.И. // ФТТ. 1991. Т. 33. Вып. 9. С. 2513--2526
- Лисицын В.М., Олешко В.И., Штанько В.Ф. // Письма в ЖТФ. 1985. Т. 181. Вып. 24. С. 1478--1481
- Олешко В.И., Штанько В.Ф. // ЖТФ. 1987. Т. 57. Вып. 12. С. 2401--2403
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
