"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние электронного облучения вакуумного резиста NOVER-1 на его стойкость к ионно-лучевому травлению
Коваль Ю.И.1, Петрашов В.Т.1
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Поступила в редакцию: 19 мая 1997 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1997 г.

Было изучено влияние облучения электронами на стойкость резиста NOVER-1 к ионно-лучевому травлению. Для травления использовались ионы Ar с энергиями от 300 до 2500 eV. Было обнаружено, что в зависимости от энергии ионов и угла их падения на поверхность резиста электронное облучение может приводить как к ускорению, так и к замедлению травления NOVER-1. Наблюдается четкая корреляция между глубиной проникновения ионов в резист и характером влияния облучения электронами на стойкость резиста к травлению. При энергии ионов больше 500 eV (глубина проникновения ионов >~=3.5 nm) стойкость уменьшается, при небольших дозах электронного облучения проходит через минимум и возвращается к скорости травления исходного резиста при больших дозах электронного облучения. При скользящих углах травления (~70o к нормали поверхности) и малой энергии ионов (300 eV), т. е. при малой глубине проникновения ионов (=<sssim2.5 nm), облученный электронами резист травится медленнее исходного во всем диапазоне исследованных доз электронного облучения. Этот эффект может быть использован для структур в резисте с высотой больше ширины с целью увеличения их стойкости, которая в данном случае определяется преимущественно скоростью травления наклонных фасеток.
  • Плазменная технология в производстве СБИС. Пер. с англ. / Под ред. Н. Айнспрука и Д. Брауна. М.: Мир, 1987. 469 с
  • Borzenko T.B., Vyatkin A.F., Gonchakova N.N. et al. // Vacuum. 1988. Vol. 38. P. 1007--1009
  • Beale M.I.J., Broughton C., Pidduck A.J., Deshmukh V.G.I. // Nucl. Instr. and Meth. 1987. Vol. B19/20. P. 995--1000
  • Gokan H., Tanigaki K., Ohnishi Y. // Sol. St. Technol. 1985. N 5. P. 163--167
  • Borzenko T.B., Koval Y.I., Kudryashov V.A. Microelectronic Engineering. 1994. V. 23. P. 337--340
  • Petrashov V.T., Abramenko Y.T., Zarubin V.A. et al. // Phys. Low-Dim. Struct. 1994. N 11/12. P. 103--108
  • Petrashov V.T., Abramenko Ju.T., Koval Ju.I., Aparshina L. // Microelectronic Engineering. 1997. Vol. 35. P. 161--163
  • Коваль Ю.И., Ильичев Е.В. // ПТЭ. 1994. N 3. С. 118--125
  • Борзенко Т.Б. Канд. дис. Черноголовка, 1996
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.