Диффузионная модель эпитаксиального роста твердых растворов AlxGa1-xAs из ограниченного расплава
Карпов С.Ю., Мажорова О.С., Никишин С.А., Попов Ю.П., Похилко В.И., Синявский Д.В.
Выставление онлайн: 20 января 1988 г.
Целью работы является дальнейшее развитие диффузионной модели применительно к случаю кристаллизации твердых растворов AlxGa1-xAs из ограниченного объема расплава. В качестве граничных условий использовано точное нелинейное уравнение ликвидуса. Результаты, полученные по диффузионной модели, сравниваются с аналогичными результатами, полученными с помощью модели полного высаживания. Такое сравнение позволяет оценить область применимости последней модели и определить источники присущей ей погрешности.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.