Разработан метод химического осаждения тонких слоев n-CdS и n-CdSe на поверхность крупноблочных поликристаллов p-CuInSe₂. Приведены электрические параметры полученных слоев и кристаллов. Исследованы темновые вольт-амперные характеристики и спектры фоточувствительности гетеропереходов CdS/CuInSe₂ и CdSe/CuInSe₂ при T=300 K. Рассмотрены особенности свойств гетеропереходов непосредственно после нанесения слоев полупроводников II-VI и полученных в результате проведения последующего рекристаллизационного отжига при T=270/400^oС и t=5/30 мин. Указано на экономическую перспективность и высокую технологичность метода химического осаждения для создания выпрямляющих гетеропереходов, фоточувствительных в широком диапазоне длин волн.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.