Вышедшие номера
Модель осаждения полупроводниковых слоев в проточном газоэпитаксиальном реакторе
Прокопьев Е.П.1
1Научно-исследовательский институт материаловедения им. А.Ю. Малинина,, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 23 октября 1991 г.
Выставление онлайн: 20 января 1995 г.

Предложена модель скорости роста (осаждения) полупроводниковых слоев для общего случая процесса в переходной области в случае конфузорного течения парогазовой смеси (ПГС) в проточном газоэпитаксиальном реакторе. Для случая тетрахлоридного процесса осаждения эпитаксиальных слоев кремния оценен вклад (~ -6 %) вынужденного конвективного потока в массоперенос в ламинарном пограничном слое, включающем молекулярную диффузию и термодиффузию. Таким образом, вынужденный конвективный массоперенос для случая конфузорного течения ПГС незначительно замедляет массоперенос лимитирующего реагента SiCl4 в проточном газоэпитаксиальном реакторе. Расчетные и экспериментальные значения скоростей роста Vp(x) эпитаксиальных слоев кремния для стандартных условий тетрахлоридного процесса удовлетворительно согласуются между собой, что говорит о реальном характере предложенной модели.
  1. Жмакин А.И., Ипатова И.П., Макаров Ю.Н. ЖТФ. 1986. Т. 56. Вып. 9. С. 1700--1708
  2. Герасимов Б.П., Лесуновский А.В., Митин В.В. и др. Математическое моделирование. Получение монокристаллов и полупроводниковых структур. М.: Наука, 1986. С. 112--132
  3. Крупкин П.Л. ЖТФ. 1991. Т. 61. Вып. 5. С. 10--14
  4. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Гидродинамика. М.: Наука, 1986. 230 с
  5. Van der Putte P., Giling L.J., Bloem J. J. Cryst. Growth. 1975. Vol. 31. N 2. P. 299--310
  6. Прокопьев Е.П. ЖПХ. 1981. Т. 54. N 7. С. 1468--1473
  7. Прокопьев Е.П. ТОХТ. 1983. Т. 17. N 5. С. 599--603
  8. Прокопьев Е.П. ТОХТ. 1986. Т. 20. N 3. С. 698--701
  9. Франк-Каменецкий Д.А. Диффузия и теплопередача в химической кинетике. М.: Наука, 1967. 492 с
  10. Bloem J., Giling L. Current Topics in Materials Science /Ed. E. Kaldias. North-Holl and Publ. Co., 1978. Vol. 1. P. 147--342
  11. Малинин А.Ю., Федоров В.А., Прилипко В.И. и др. Деп. в ЦНИИ "Электроника". N P-2621. М., 1978. 47 с
  12. Daw A.N., Pal D.K., Kowar M.K. Microelectron. J. 1990. Vol. 21. N 5. P. 29--39

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.