Вышедшие номера
Модель осаждения полупроводниковых слоев в проточном газоэпитаксиальном реакторе
Прокопьев Е.П.1
1Научно-исследовательский институт материаловедения им. А.Ю. Малинина,, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 23 октября 1991 г.
Выставление онлайн: 20 января 1995 г.

Предложена модель скорости роста (осаждения) полупроводниковых слоев для общего случая процесса в переходной области в случае конфузорного течения парогазовой смеси (ПГС) в проточном газоэпитаксиальном реакторе. Для случая тетрахлоридного процесса осаждения эпитаксиальных слоев кремния оценен вклад (~ -6 %) вынужденного конвективного потока в массоперенос в ламинарном пограничном слое, включающем молекулярную диффузию и термодиффузию. Таким образом, вынужденный конвективный массоперенос для случая конфузорного течения ПГС незначительно замедляет массоперенос лимитирующего реагента SiCl4 в проточном газоэпитаксиальном реакторе. Расчетные и экспериментальные значения скоростей роста Vp(x) эпитаксиальных слоев кремния для стандартных условий тетрахлоридного процесса удовлетворительно согласуются между собой, что говорит о реальном характере предложенной модели.