"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Эффект стохастизации движения релятивистских электронов вдоль оси монокристалла
Мещеров Б.Р., Туманов В.И.
Выставление онлайн: 19 апреля 1991 г.

Описана методика, позволяющая изучать изменение выхода ядерной реакции в зависимости от глубины проникновения релятивистских электронов в монокристалл кремния вдоль одного из главных направлений вплоть до толщин ~2 мкм. Разработанный метод исследования основан на последовательном применении процедуры, заключающейся в формировании на поверхности облученной мишени тонкой и однородной окисной пленки фиксированной толщины и последующем ее растворении, сопровождающемся измерением активности стравленных слоев. Приводятся результаты применения указанной методики к случаю аксиального каналирования электронов с энергией ~50 МэВ. Значительное отличие измеренной величины от вычисленной с помощью метода, основанного на предположении о хорошо определенных состояниях, позволяет сделать утверждение о сильной стохастивации поперечного движения заряженных частиц.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.