Рассмотрены две разные схемы приповерхностного каналирования, отличающегося малыми углами скольжения падающего и каналированного пучка частиц с входной гранью кристалла. Показана возможность усиления жесткого излучения, возникающего при вынужденных переходах между инвертированными уровнями поперечной энергии релятивистских каналированных частиц, при небольшом превышении порогового тока пучка. Усиление обусловлено существенным увеличением длины активной зоны по сравнению с традиционной схемой при одновременном снижении теплового воздействия пучка частиц на кристалл. Получены количественные оценки для возможного усиления и для допустимых значений расходимости и энергетического разброса пучка.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.