Вышедшие номера
Контроль объемного времени жизни и скорости поверхностной рекомбинации носителей заряда в полупроводниках методом инфракрасного лазерного зондирования
Воронков В.Б., Иванов А.С., Комаровских К.Ф., Летенко Д.Г., Федорцов А.Б., Чуркин Ю.В.
Выставление онлайн: 20 января 1991 г.

Предложен бесконтактный оптический метод измерения объемного времени жизни неравновесных носителей заряда и скорости их поверхностной рекомбинации, основанный на оптической генерации неравновесных носителей заряда в полупроводниках и бесконтактном оптическом интерференционном съеме информации. Исследованы серии образцов из кремния различной толщины с различным состоянием поверхности. При существенном различии эффективных времен жизни исследуемых образцов объемное время жизни лежит в диапазоне 320-350 мкс. Эти величины, а также значения скоростей поверхностной рекомбинации для различного состояния поверхности хорошо согласуются с данными, полученными для исследуемых образцов другими методами.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.