Разработан и теоретически обоснован метод анализа электронной структуры, электрофизических и физико-химических параметров оксидных сегнетоэлектриков с помощью вторично-электронной эмиссии в растровом электронном микроскопе. Проведенные исследования кристаллов SrTiO₃, BaTiO₃, KNbO₃ показали хорошее согласие измеренных значений Delta E, T_C, lambda/C, T₀ с литературными данными либо с величинами, полученными другими методами.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.