Изложены результаты экспериментальной проверки (на примере выращивания слоев GaAs на подложке GaAlAs) следствий ранее опубликованной модели релаксационной жидкостной эпитаксии с инверсией массопереноса, позволяющей создавать супертонкие (~ 100 Angstrem) слои при любой температуре эпитаксии и сколь угодно большом времени контакта раствора-расплава с подложкой. Гетероэпитаксия GaAs на подложке GaAlAs осуществлялась из пересыщенного раствора-расплава Ga-As, находящегося в капилляре, образованном подложкой GaAlAs (основной) и вспомогательной пластинкой GaAs (инвертирующей). Экспериментально показано следующее. Толщина слоя GaAs на основпой подложке существенно меньше толщины слоя GaAs на инвертирующей пластинке. Отношение толщины слоя GaAs, выращенного на подложке GaAlAs к толщине слоя GaAs, вырастающего на пластинке GaAs, тем меньше, чем меньше переохлаждение раствора-расплава, чем меньше толщина капилляра и чем больше содержание AlAs в подложке. Экспериментальные результаты соответствуют следствиям модели.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.