Сообщается о получении пленок Cd_xHg_1-xTe методом газофазной эпитаксии из металло-органических соединений (МОС), стимулированной высокочастотным плазменным разрядом. Осаждение проводилось на буферные слои CdTe, выращенные тем же методом на GaAs. Использование ВЧ разряда позволило снизить температуру осаждения Cd_xHg_1-xTe до 100^oС. Полученные пленки были монокристаллическими, имели зеркальную поверхность и низкую плотность двойников; типичные значения концентрации (n-тип, x=0.2) и подвижности при 77 K составляли соответственно 8· 10¹⁶ см^-3 и 4· 10⁴ см²/(В · с). Проведенные исследования показали, что процесс роста аналогичен имеющему место при молекулярно-лучевой эпитаксии, а составом пленок можно управлять, меняя температуру подложки или соотношение парциальных давлений исходных МОС. Обсуждается также возможность сочетания данного метода с технологией IMP - поочередного осаждения слоев CdTe и HgTe с последующим отжигом для получения Cd_xHg_1-xTe заданного состава.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.