Вольт-яркостная характеристика и светоотдача тонкопленочных электролюминесцентных структур
Самохвалов М.К.1
1Ульяновский государственный технический университет, Ульяновск, Россия
Поступила в редакцию: 24 марта 1995 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1996 г.
Исследованы электронные процессы в тонкопленочных электролюминесцентных структурах при возбуждении электролюминесценции переменным напряжением. На основе физической модели ударного возбуждения активаторных центров свечения в слое люминофора получены соотношения для расчета вольт-яркостных характеристик и светоотдачи светоизлучающих структур. Проведено сравнение теоретических и экспериментальных результатов и определены параметры марганцевых активаторов в пленке сульфида цинка.
- Верещагин И.К. Электролюминесценция кристаллов. М.: Наука, 1974. 280 с
- Allen J.W. J. Lum. 1981. Vol. 23. P. 127--139
- Mach R., M\ddot uller G.O. Phys. Stat. Sol. 1984. Vol. 81a. P. 609--623
- Самохвалов М.К. Тез. докл. Междунар. конф. по люминесценции. М.: 1994. С. 40
- Самохвалов М.К. Письма в ЖТФ. 1994. Т. 20. Вып. 6. С. 67--71
- Самохвалов М.К. Электронная техника. Полупроводниковые приборы. 1990. N 3. C. 86--89
- Самохвалов М.К., Рябинов Е.Б. ЖПС. 1993. Т. 58. С. 495--499
- Самохвалов М.К. Изв. Вузов. Физика. 1988. N 10. С. 124
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.