О дозовой зависимости концентрации носителей заряда в сульфиде свинца, облученном электронами
Зайкина Р.Ф.1, Зайкин Ю.А.1, Потатий К.В.1, Сарсембинов Ш.Ш.1
1Казахский государственный университет, Научно-исследовательский институт экспериментальной и теоретической физики, Алма-Ата, Казахстан
Поступила в редакцию: 30 января 1995 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 1996 г.
С помощью измерений эффекта Холла изучены изменения электрических свойств сульфида свинца после облучения электронами с энергией 4 МэВ. Приведены расчеты дозовой зависимости концентрации носителей заряда с учетом рекомбинации пар Френкеля и изменения стехиометрии в процессе облучения.
- Heinrich H. Lect. Notes Phys. 1980. Vol. 133. P. 407--426
- Palmetshofer L. J. Appl. Phys. 1984. Vol. A34. N 3. P. 139--153
- Томпсон М.В. Дефекты и радиационные повреждения в металлах. М., 1971. 367 с
- Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М., 1981. 368 с
- Ахиезер И.А., Давыдов Л.Н. Введение в теоретическую радиационную физику металлов и сплавов. Киев, 1985. 144 с
- McKinley W.A., Feshbach H. Phys. Rev. 1948. Vol. 74. N 12. P. 1759--1763
- Прокофьева Л.В., Алексеева Г.Г. и др. ФТП. 1992. Вып. 2. С. 358--363
- Корбетт Дж., Бургуен Ж. Точечные дефекты в твердых телах. М., 1979. С. 9--186
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук