Компьютерное моделирование изменения состава сложных и многослойных структур в процессе ионного распыления
Бер Б.Я.1, Журкин Е.Е.1, Меркулов А.В.1, Трушин Ю.В.1, Харламов В.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 11 января 1995 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 1996 г.
Разработана методика компьютерного моделирования баллистической стадии ионного распыления, позволяющая описывать динамическое изменение состава слоистого материала в результате пространственного наложения каскадов при больших дозах облучения. Методика модифицирована по отношению к алгоритмам существующих динамических программ. В частности, учтено влияние объемов образующихся точечных дефектов и имплантированных ионов на изменение параметров материала в процессе облучения. Проведены тестовые расчеты ионного травления мишеней гомогенного GaAs и GaAs с delta-слоем кремния. Результаты расчетов качественно соответствуют экспериментальным данным по ВИМС профилированию образцов GaAs, delta-легированного кремнием.
- Thompson M.W. Defects and Radiation Damage in Metals. Cambridge: University Press, 1969. 367 p
- Lehmann Chr. Interaction of Radiation with Solids and Elementary Defects Production. Amsterdam: North-Holland, 1977. 341 p
- Бер Б.Я., Меркулов А.В. Научное приборостроение. 1992. Т. 2. С. 31
- Biersack J.P., Haggmark L.G. Nucl. Instr. and Meth. 1980. Vol. 174. P. 257
- Biersack J.P., Eckstein W. Appl. Phys. 1984. Vol. A34. P. 73
- Ziegler J.F., Biersack J.P., Littmark U. The Stopping and Range of Ions in Solid. New York: Pergamon Press, 1985
- Biersack J.P. Nucl. Instr. and Meth. 1987. Vol. B27. P. 21
- Robinson M.T., Torrens J.M. Phys. Rev. 1974. Vol. B9. P. 5008
- Robinson M.T. Sputtering by Particle Bombardment I / ed. R. Behrish. Berlin; Heidelberg; New York: Springer-Verlag, 1981. P. 99
- Журкин Е.Е. Материалы XI конф. "Взаимодействие ионов с поверхностью 1993". Москва, 1993. Т. 3. С. 105
- Moller W., Eckstein W. Nucl. Instr. and Meth. 1984. Vol. B2. P. 814
- Moller W., Eckstein W. Nucl. Instr. and Meth. 1985. Vol. B7/8. P. 727
- Moller W., Eckstein W., Biersack J.P. Comput. Phys. Commun. 1988. Vol. 51. P. 355
- Budinov H.I., Karpuzov D.S. Nucl. Instr. and Meth. 1990. Vol. B47. P. 33
- Todorov S.S., Chakarov I.R., Karpuzov D.S. Nucl. Instr. and Meth. 1992. Vol. B65. P. 79
- Chakarov I.R., Karpuzov D.S., Todorov S.S. Nucl. Instr. and Meth. 1992. Vol. B69. P. 193
- Todorov S.S. et al. Surf. Sci. 1992. Vol. 271. P. 641
- Shonborn A., Heching N., Te Kaat E.H. Nucl. Instr. and Meth. 1989. Vol. B43. P. 170
- Bussman U., Hemment P.L.F. Nucl. Instr. and Meth. 1990. Vol. B47. P. 22
- Kim J.H. et al. Nucl. Instr. and Meth. 1992. Vol. B71. P. 271
- Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М.: Наука, 1981. 368 с
- Kinchin G.H., Pease R.S. Rep. Progr. Phys. 1955. Vol. 18. P. 1
- Betz G., Wehner G.K. Sputtering by Particle Bombardment II / ed. R. Behrisch. Berlin; Heidelberg; New York; Tokyo: Springer-Verlag, 1983. P. 24
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.