Критический анализ методики измерения импеданса структур с потенциальным барьером позволил объяснить причины отличий многих экспериментальных данных по зависимости емкости C от напряжения U от классических теорий. Разработан частотно-емкостной метод определения истинных электростатических параметров поверхностно-барьерных структур, заключающийся в измерении семейства C-U-характеристик при разных частотах, определении истинного значения диффузионной разности потенциалов из зависимости напряжения отсечки от частоты и восстановления истинной C-U-характеристики в координатах C^-2-U.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.