Модели примесных дефектов в щелочно-галоидных кристаллах при различных размерах образцов
Зусманов Е.Р.1, Маевский В.М.1, Витриховский Н.И.1, Ройцин А.Б.1
1Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 8 сентября 1993 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1994 г.
- Маевский В.М., Витриховский Н.И., Зусманов Е.Р., Ройцин А.Б. Письма в ЖТФ. 1993. Т. 19. Вып. 8. С. 46--49
- Маевский В.М., Витриховский Н.И., Зусманов Е.Р., Ройцин А.Б. УФЖ. 1993. Т. 38. N 3. С. 442--443
- Bottcher R., Windsch W., Ludke W. Phys. St. Sol. 1967. Vol. 20. N 1. P. 121
- Hall T.P.P., Hayes W., Stevenson W.H., Wilkens J. J.Chem. Phys. 1963. Vol. 38. N 2. P. 1977
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.