Слои AlxGa 1-xAs в системе Ga--Bi--Al--GaAs
Кладько В.П.1, Семенов Г.Н.1, Крыштаб Т.Г.1, Круковский С.И.1
1Институт физики полупроводников Киев
Поступила в редакцию: 6 августа 1993 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1994 г.
- Андреев В.М., Конников С.Г., Ларионов В.Р. и др. Письма в ЖТФ. 1986. Т. 12. Вып. 5. С. 533--537
- Андреев В.М., Минтаиров А.М., Смекалин К.Е. и др. Тез. докл. V Всесоюз. конф. по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах. Калуга, 1990. Т. II. С. 27--28
- Гаврилюк Ю.Н., Барба В.И., Круковский С.И. и др. Тез. докл. V Всесоюз. конф. по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах. Калуга, 1990. Т. I. С. 167--168
- Topper L., Ploog K. Phys. Rev. B. 1986. Vol. 33. N 8. P. 5565--5574
- Беляев Ю.Н., Гуделов В.М., Колпакова А.В. Поверхность. 1984. N 3. С. 60--67
- Adachi S. J. Appl. Phys. 1985. Vol. 85. N 3. P. R1--R29
- Fujimoto I. Jap. J. Appl. Phys. 1984. Vol. 23. N 5. P. L287--L289
- Krukovski S., Bobitski Ya.V. Cryst. Growth. Pt 2. Trans, Tech. Publ. Switzerland--Germany--USA, 1991. P. 369--379
- Якушева Н.А., Чикичев С.И. Изв. АН СССР. Неорган. матер. 1987. Т. 23. N 10. С. 1607--1609
- Lideikis T., Freideris G. J. Cryst. Growth. 1989. Vol. 96. N 5. P. 790--794
- Бирюлин Ю.Ф., Воробьева В.В., Голубев В.Г. и др. ФТП. 1987. Т. 21. Вып. 12. С. 2201--2209
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук