Обратный протонный обмен в кристаллах танталата лития
Коркишко Ю.Н.1, Федоров В.А.1
1Московский институт электронной техники
Поступила в редакцию: 28 июня 1993 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1994 г.
Рассматривается новый метод изготовления планарных и заглубленных световодов в кристаллах LiTaO3 - обратный протонный обмен Li+->H+ в расплаве LiNO3 при температурах 280-340o C. В результате обратного протонного обмена формируются поверхностные планарные световоды, поддерживающие распространение мод необыкновенного луча и заглубленные световоды для мод обыкновенного луча. Впервые измерено изменение показателя преломления обыкновенного луча в протонообменных световодах в LiTaO3: Delta n0=-0.034 при Delta ne=0.026. Определены диффузионная константа D0 и энергия активации Q процесса обратного протонного обмена, составляющие 2.95· 107 мкм2/ ч и 97.66 кДж/моль соответственно.
- Jackel J.L., Rice C.E., Veselka J.J. Appl. Phys. Lett. 1982. Vol. 41. N 7. P. 607--608
- Копылов Ю.Л., Кравченко В.В., Миргородская Е.Н., Бобылев А.В. Письма в ЖТФ. 1983. Т. 9. Вып. 10. С. 601--604
- Spilman W.B., Sanford N.A., Soret R.A. Opt. Lett. 1983. Vol. 8. N 9. P. 497--498
- Findakly T., Suchoski P., Leonberger F. Opt. Lett. 1988. Vol. 13. N 9. P. 797--799
- Ганьшин В.А., Коркишко Ю.Н., Петрова В.З. ЖТФ. 1988. Т. 58. Вып. 6. С. 1168--1170
- Ганьшин В.А., Коркишко Ю.Н. ЖТФ. 1990. Т. 60. Вып. 9. С. 153--156
- Jackel J.L., Johnson J.J. Electr. Lett. 1991. Vol. 27. N 15. P. 1360--1361
- White J.M., Heidrich P.F. Appl. Opt. 1978. Vol. 15. N 1. P. 151--155
- Chiang K.S. J. Lightwave Techn. 1985. Vol. 3. N 2. P. 385--391
- Ганьшин В.А., Коркишко Ю.Н., Петрова В.З. ЖТФ. 1985. Т. 55. Вып. 11. С. 2224--2227
- Olivares J., Diaz-Garsia M.A., J.M.Cabrera Opt. Commun. 1992. Vol. 92. N 1. P. 40--44
- Fedorov V.A., Ganshin V.A., Korkishko Yu.N. Phys. Stat. Sol. (a). 1993. Vol. 135. N 2. P. 493--505
- Li Y.S., Yuhara T., Tada K., Sakaguchi Y. Technical Digest of Integrated Photonics Research. Opt. Soc. Am., Washington, D.C. 1990. Paper WE3
- Атучин В.В., Зилинг К.К. Препринт Института физики полупроводников СО АН СССР. N 8. Новосибирск, 1990. 19 с
- Matthewa P.J., Michelson A.R., Novak S.W. J. Appl. Phys. 1992. Vol. 72. N 7. P. 2562--2574
- Yuhara T., Tada K., Li Yu.S. Appl. Phys. 1992. Vol. 71. N 8. P. 3966--3974
- Ganshin V.A., Korkishko Yu.N., Morozova T.V. Phys. Stat. Sol. (a). 1988. Vol. 110. N 1. P. 397--401
- Ganshin V.A., Korkishko Yu.N., Morozova T.V., Saraikin V.V. Phys. Stat. Sol. (a). 1989. Vol. 114. N 2. P. 457--465
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
