Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование GaAs структур со встроенным pi-nu-переходом для создания координатно-чувствительных детекторов

Воробьев А.П.^1,2, Чмиль В.Б.^1,2, Чунтонов А.В.^1,2, Корецкий А.В.^1,2, Потапов А.И.^1,2, Толбанов О.П.^1,2, Хлудков С.С.^1,2

¹Государственный научный центр Российской Федерации — Институт физики высоких энергий, Протвино, Россия Institute for High Energy Physics, Protvino, Moscow oblast, Russia

Institute for High Energy Physics, Protvino, Moscow oblast, Russia

²Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия Siberian Institute of Physics and Technology acad. V.D. Kuznetsov, Tomsk State University, Tomsk, Russia

Siberian Institute of Physics and Technology acad. V.D. Kuznetsov, Tomsk State University, Tomsk, Russia

Поступила в редакцию: 23 февраля 1993 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 1994 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Приведены результаты систематических исследований GaAs образцов для создания на их основе радиационностойких координатных детекторов. Проведена оптимизация технологии изготовления высокоомных слоев детектора. В результате получены образцы с эффективностью сбора заряда > 80 %, для 2 МэВ электрона и временем сбора заряда < 10 нс. Исследования радиационной стойкости показали, что при достижении величины интегрального потока нейтронов 1.2· 10¹⁵ см^-2 основные характеристики образцов деградируют не более чем на 20%, а при поглощенной дозе gamma-частиц 110 кГр практически не ухудшаются.

Proc. Symp. on Detector Research and Development for the Superconducting Super Collider / Ed. Tom Dombeck, Valerie Kelly, George P. Yost. Fort Worth (Texas), 1990
Proc. Large Hadron Collider Workshop. Aahen, 1990. CERN 90--10, ECFA 90--133
Berlin R. et. al. Nucl. Inst. and Meth. 1990. Vol. A294. P. 211
Borrego J.M. et. al. IEEE Trans. Nucl. Sci. 1976. Vol. NS-23. P. 1671
Таблицы физических величин. Справочник / Под ред. И.К.Кикоина. М.: Атомиздат, 1976
Beaumont S. et. al. CERN/DRDC/90-58, DRDC/p13, 1990. Gallium Arsenide Microstrip Detector for Charged Particles. CERN-PRE/92-51. Nuclear Phys. 1991. B23A. P. 417--418. 3^rd Int. Conf. on Particle Phys. and Advanced Technology. Como (Italy), 1992
Воробьев А.П. и др. Препринт ИФВЭ N 91--192. Протвино, 1991
Chmil V.B. et. al. IHEP Preprint. N 92-59. Protvino, 1992
Толбанов О.П. Физика и техника полупроводников. Т. 20. N 11. С. 2072
Хлудков С.С. Изв. вузов СССР. Физика. 1983. Т. 26. N 10. С. 67
Гаман В.И. Изв. вузов СССР. Физика. 1983. Т. 26. N 10. С. 79
Головин В.М. и др. Препринт ИФВЭ N 89-231. Протвино, 1989
Ramanamurthy P.V., Demeester G.B. Nicl. Inst. and Meth. 1967. Vol. 56. P. 93
Акимов Ю.К. и др. Полупроводниковые детекторы в экспериментальной физике М.: Энергоатомиздат, 1989
Seibt W., Sundstrom K.E., Tove P.A. Nucl. Inst. and Meth. 1973. Vol. 113. P. 317--324
Ван Русбрек, Шокли. Проблемы физики полупроводников. М.: ИЛ, 1958
Van Roosbroeck W. Phys. Rev. 1953. Vol. 91. P. 282
Келдыш Л.В. ЖТЭФ,. 1958. Т. 34. С. 1138

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель