Вышедшие номера
Исследование GaAs структур со встроенным pi-nu-переходом для создания координатно-чувствительных детекторов
Воробьев А.П.1,2, Чмиль В.Б.1,2, Чунтонов А.В.1,2, Корецкий А.В.1,2, Потапов А.И.1,2, Толбанов О.П.1,2, Хлудков С.С.1,2
1Государственный научный центр Российской Федерации — Институт физики высоких энергий, Протвино, Россия
2Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 23 февраля 1993 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1994 г.

Приведены результаты систематических исследований GaAs образцов для создания на их основе радиационностойких координатных детекторов. Проведена оптимизация технологии изготовления высокоомных слоев детектора. В результате получены образцы с эффективностью сбора заряда > 80 %, для 2 МэВ электрона и временем сбора заряда < 10 нс. Исследования радиационной стойкости показали, что при достижении величины интегрального потока нейтронов 1.2· 1015 см-2 основные характеристики образцов деградируют не более чем на 20%, а при поглощенной дозе gamma-частиц 110 кГр практически не ухудшаются.