Теоретическое и экспериментальное исследование микроструктуры висмутовых керамик методами туннельной и атомно-силовой микроскопии
Благов,-=SUP=-1-=/SUP=- Е.В.1, Моисеев,-=SUP=-2-=/SUP=- Ю.Н.1, Мостепаненко В.М.1, Мусатенко,-=SUP=-1-=/SUP=- А.Ю.1, Панов,-=SUP=-2-=/SUP=- В.И.1, Савинов,-=SUP=-2-=/SUP=- С.В.1, Соколов И.Ю.1
1С.-Петербургский технологический институт
Поступила в редакцию: 26 января 1993 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1993 г.
Рассчитано ван-дер-ваальсово и обменное взаимодействие при сканировании острия атомно-силового микроскопа над ступенчатой поверхностью, моделирующего стык кристаллитов висмутовой керамики. Изложена технология изготовления образцов композита висмутовой системы для высокотемпературной сверхпроводимости. Эти образцы исследованы на сканирующем туннельном и атомно-силовом микроскопах. Сравнение экспериментальных данных с результатами расчета позволило установить, что в результате дополнительного длительного отжига происходят упорядочение ориентации кристаллитов, уменьшение разброса их относительных высот и сужение межкристаллитных расстояний.
- Heinzelmann H. et al. J. Microscopy. 1988. Vol. 152. Pt 3. P. 399--405
- Благов Е.В., Моисеев Ю.Н., Мостепаненко В.М. и др. Письма в ЖТФ. 1991. Т. 17. Вып. 8. С. 87--90
- Благов Е.В., Моисеев Ю.Н., Мостепаненко В.М. и др. Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. Вып. 18. С. 30--36
- Мостепаненко В.М., Соколов И.Ю. ДАН СССР. 1988. Т. 298. N 6. С. 1380--1383
- Moiseev Yu.N., Mostepanenko V.M., Panov V.I., Sokolov I.Yu. Phys. Lett. A. 1988. Vol. 132. N 6,7. P. 354--358
- Моисеев Ю.Н., Мостепаненко В.М., Панов В.И., Соколов И.Ю. ЖТФ. 1990. Т. 60. Вып. 1. С. 141--148
- Лифшиц Е.М., Питаевский Л.П. / Статистическая физика. Ч. 2. М.: Наука, 1978
- Прудников А.П., Брычков Ю.А., Маричев О.И. Интегралы и ряды. М.: Наука, 1981
- Krupp M., Schnabel W., Walter G. J. Coll. I. Sci. 1970. Vol. 39. P. 421--423
- Физические свойства высокотемпературных сверхпроводников / Под ред. Д.М.Гинзберга. М.: Мир, 1990
- Моисеев Ю.Н., Мостепаненко В.М., Панов В.И., Соколов И.Ю. Письма в ЖТФ. 1989. Т. 15. Вып. 20. С. 5--11
- Jin et al. Us Patent. N 4952554. 28/8/1990
- Мусатенко А.Ю., Благов Е.В., Приходько В.Г. и др. Патент по заявке. N 4906784/27/01028 от 04.02.91
- Мусатенко А.Ю., Благов Е.В., Приходько В.Г. и др. Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. Вып. 6. С. 26--28
- Бобылев И.Б., Романов Е.П., Любимов М.Г. СФХТ. 1990. Т. 3. N 4. С. 717--725
- Кирик С.Д., Гуляева Г.Г., Корягина Г.И. Изв. СО АН СССР. Сер. хим. наук. 1990. N 1. С. 66--69
- Белошов О.Н., Лимановский А.И., Ткач В.И. В печати
- Васильев С.И., Леонов В.Б., Панов В.И. Письма в ЖТФ. 1987. Т. 13. Вып. 15. С. 937--941
- Васильев С.И., Леонов В.Б., Моисеев Ю.Н., Панов В.И. Письма в ЖТФ. 1988. Т. 14. Вып. 3. С. 727--731
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук