Вышедшие номера
Фотовольтаический эффект в тонкопленочных гетероструктурах CdS<In>CuInSe 2
Константинова Н.Н.1, Лунев А.В.1, Магомедов М.А.1, Рудь Ю.В.1, Ушакова Т.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 9 декабря 1992 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1993 г.

Получены и исследованы фоточувствительные структуры, представляющие собой гетероконтакт пленки p-CuInSe2 (d<5 мкм, магнетронное распыление из одной мишени) с пленкой n-CdS<In> (d<4 мкм, вакуумное термическое распыление). Гетероструктуры обладают токовой фоточувствительностью 5 мА/Вт в спектральном диапазоне между ширинами запрещенных зон CuInSe2 и CdS. Термообработка пленочных гетероструктур в вакууме в области 200--400o C трансформирует спектральный контур фоточувствительности, что связывается с компенсацией CdS за счет диффузии меди из узкозонной компоненты гетероструктуры.
  1. Shay J.L., Wernick J.H. Ternary Chalkopyrite Semiconductors: Growth, Electronic Properties and Applications. Oxford: Pergamon Press, 1975. 345 p
  2. Copper Indium Diselenide for Photovoltaic Applications. Amsterdam: Elsevier, 1986. 640 p

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.