Получены и исследованы фоточувствительные структуры, представляющие собой гетероконтакт пленки p-CuInSe₂ (d<5 мкм, магнетронное распыление из одной мишени) с пленкой n-CdS<In> (d<4 мкм, вакуумное термическое распыление). Гетероструктуры обладают токовой фоточувствительностью 5 мА/Вт в спектральном диапазоне между ширинами запрещенных зон CuInSe₂ и CdS. Термообработка пленочных гетероструктур в вакууме в области 200-400^o C трансформирует спектральный контур фоточувствительности, что связывается с компенсацией CdS за счет диффузии меди из узкозонной компоненты гетероструктуры.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.