Измерение сопротивлений контактов и компонент электропроводности анизотропных кристаллов и пленок
Поляков Н.Н.1
1Липецкий педагогичский институт
Поступила в редакцию: 6 октября 1992 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1993 г.
Предложен метод определения сопротивлений контактов к анизотропным полупроводниковым кристаллам и пленкам. Метод позволяет производить измерения компонент тензора электропроводности исследуемых образцов после изготовления контактов. Путем решения краевой задачи электродинамики получены формулы и соотношения, имеющие практическое значение для исследования электрофизических свойств материалов электронной техники. Результаты работы представлены в виде, позволяющем использовать ЭВМ для обработки результатов экспериментальных исследований.
- Родерик Э.Х. Контакты металл--полупроводник. М.: Радио и связь, 1982. 208 с
- Стриха В.И., Бузанева Е.В. Физические основы надежности контактов металл--полупроводник в интегральной электронике. М.: Радио и связь, 1987. 256 с
- Поляков Н.Н. ЖТФ. 1991. Т. 61. Вып. 11. С. 79--86
- Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Электродинамика сплошных сред. М.: Наука, 1982. 620 c
- Лаврентьев М.А., Шабат Б.В. Методы теории функций комплексного переменного. М.: Наука, 1973. 736 с
- Камке Э. Справочник по обыкновенным дифференциальным уравнениям. М.: Наука, 1971. 576 с
- Най Дж. Физические свойства кристаллов и их описание при помощи тензоров и матриц. М.: Мир, 1967. 380 с
- Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа, 1987. 238 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук