Вышедшие номера
Моделирование изменения характеристик солнечных элементов на основе a-Si : H в течение светового дня
Крюченко Ю.В., Саченко А.В., Бобыль А.В., Костылев В.П., Соколовский И.О., Теруков Е.И., Вербицкий В.Н., Николаев Ю.А.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при ФТИ им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия
Email: sach@isp.kiev.ua
Поступила в редакцию: 5 декабря 2012 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2013 г.

Проведено теоретическое моделирование временных зависимостей ключевых характеристик солнечных элементов на основе a-Si : H в течение светового дня. Модель позволила рассчитать временные зависимости для произвольной географической широты в пределах от 30 до 60o и для произвольного дня в году. Проиллюстрированы результаты расчетов для географической широты 45o в день равноденствия. Полученные результаты для относительных изменений характеристик солнечных элементов на основе a-Si : H с достаточно хорошей точностью справедливы и для солнечных элементов на основе других полупроводников, если их КПД находится в диапазоне от 7 до 20%.