"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Экситонное поглощение полупроводниковых кристаллов GaAs при оптической накачке в зону проводимости
Ваганов С.А.1, Зайцев Д.А.1, Сейсян Р.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: sv.exciton@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 31 октября 2012 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2013 г.

Экспериментально исследованы при T = 1.7 K изменения в экситонной структуре края фундаментального поглощения кристаллов GaAs при оптической накачке лазером с энергией излучения, немного превышающей ширину запрещенной зоны. Наблюдалось увеличение амплитуды пика основного состояния экситона при сохранении энергии максимума. Зависимость интегрального поглощения от интенсивности накачки интерпретирована в рамках представлений об экситонном поляритоне --- как следствие диссипативного рассеяния экситона на генерируемых накачкой свободных электронах. Решение обратной задачи для начальных уровней накачки позволяет оценить константу электрон-экситонного взаимодействия. Интегральное поглощение основного экситонного состояния при гелиевых температурах может рассматриваться как мера чистоты эпитаксиального слоя, а причины пониженного уровня насыщения интегрального поглощения, которое заметно ниже расчетного значения, определяемого силой осциллятора экситона, требуют дальнейшего изучения.
  1. Аавиксоо Я.Ю., Рейманд И.Я., Россин В.В., Травников В.В. // ФТТ. 1991. Т. 31. Вып. 8. С. 2408--2412; Аавиксоо Я.Ю., Рейманд И.Я., Россин В.В., Травников В.В. // ФТТ. 1994. Т. 36. Вып. 5. С. 1470--1479
  2. Жиляев Ю.В., Маркарян Г.Р., Россин В.В., Россина Т.В., Травников В.В. // ФТТ. 1986. Т. 28. Вып. 9. С. 2688
  3. Aaviksoo J., Reimand I., Rossin V.V., Travnikov V.V. // Phys. Rev. B. 1992. Вып. 45. N 3. P. 1473--1476; Когновицкий С.О., Травников В.В., Аавиксоо Я.Ю., Рейманд И.Я. // ФТТ. 1997. Т. 39. Вып. 6. С. 1011--1016
  4. Schultthies L., Kuhl J., Honold A., Tu C.W. // Phys. Rev. Lett. 1986. Vol. 57. N 13. P. 1635--1638
  5. Schaefer A.C., Steel D.G. // Phys. Rev. Lett. 1997. Vol. 79. N 24. P. 4870--4873
  6. Aoki K., Okuyama Y., Kobayashi T., Yamamoto K. // J. Phys. C: Solid State Phys. 1979. Vol. 12. N 4. P. 647--654
  7. Aoki K., Kinugasa T., Yamamoto K. // Phys. Lett. A. 1979. Vol. 72. N 1. P. 63--66
  8. Elcomoss S.G., Munschy G. // J. Phys. Chem. Sol. 1979. Vol. 40. P. 431
  9. Elcomoss S.G., Munschy G. // J. Phys. Chem. Sol. 1981. Vol. 42. P. 1--6
  10. Полетаев Н.К. // Автореф. канд. дис. СПб.: Физ.-техн. ин-т им. А.Ф. Иоффе, 1999. 16 с
  11. Сейсян Р.П. Спектроскопия диамагнитных экситонов. М.: Наука, 1984. 163 c
  12. Марков С.А., Сейсян Р.П., Кособукин В.А. // ФТП. 2004. Т. 38. Вып. 2. С. 230
  13. Ваганов С.А., Сейсян Р.П. // Письма в ЖТФ. 2012. Т. 38. Вып. 3. С. 39--45
  14. Ахмедиев Н.Н. // ЖЭТФ. 1980. Т. 79. Вып. 4 (10). С. 1534--1543
  15. Kosobukin V.A., Seisyan R.P., Vaganov S.A. // Semicond. Sci. Techn. 1993. Vol. 8 (7). P. 1235--1238
  16. Алиев Г.Н., Кощуг О.С., Сейсян Р.П. // ФТТ. 1994. Т. 36. Вып. 2. С. 373--378
  17. Datsiev R.M., Kosobukin V.A., Luk'yanova N.V., Seisyan R.P., Vladimirova M.R. // Electrochemical Society Proceedings. / Ed. by Williams R.T., Yen W.M. Boston, Massachusetts, 1998. Vol. 98--25. P. 228--233
  18. Ваганов С.А., Сейсян Р.П. // Письма в ЖТФ. 2012. Т. 39. Вып. 19. С. 9--13
  19. Горбань И.С., Крохмаль А.П., Янчук З.З. // ФТТ. 2000. Т. 42. Вып. 9. С. 1582--1589
  20. Ваганов С.А., Сейсян Р.П. // ФТП. 2011. Т. 45. Вып. 1. С. 104--110
  21. Сейсян Р.П., Кособукин В.А., Маркосов М.С. // ФТП. 2006. Т. 40. Вып. 11. С. 1321--1330
  22. Rudin S., Reinecke T.L., Segall B. // Phys. Rev. B. 1990. Vol. 42. N 17. P. 11 218--11 231
  23. Алиев Г.Н., Лукьянова Н.В., Сейсян Р.П. // ФТТ. 1998. Т. 40. Вып. 5. С. 869--871
  24. Aliev G.N., Lukyanova N.V., Seisyan R.P., Vladimirova M.R., Hibbs H., Hitrova G. // Phys. Stat. Sol. A. 1997. Vol. 164. P. 93
  25. Сейсян Р.П., Савченко Г.М., Аверкиев Н.С. // ФТП. 2012. Т. 46. В. 7. С. 896--900
  26. Sonderegger S. // 2003, Magister thesis, EPFL-Ioffe Inst., Lausanne--SPb, supervisor R. Seisyan
  27. Маркосов М.С., Сейсян Р.П. // ФТП. 2009. Т. 43. Вып. 5. С. 656--661.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.