"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние уровня вакуума на автоэлектронную эмиссию из нанографитных пленок
Васильева Е.А.1, Клещ В.И.1, Образцов А.Н.1
1Физический факультет Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Email: vasilieva@polly.phys.msu.ru
Поступила в редакцию: 4 октября 2011 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2012 г.

Представлены результаты экспериментального исследования влияния уровня вакуума на автоэлектронную эмиссию из нанографитных пленок, полученных по методу плазмохимического осаждения. Показано, что стабильная эмиссия электронов со значением пороговго поля 1-2 V/mum при плотности тока 0.1 mA/cm2 из нанографита наблюдается при давлении остаточных газов в измерительной камере менее 10-5 Torr. При более высоком давлении имеет место постепенная деградация автоэмиссионных свойств пленок со временем. Последующая откачка камеры до давления 10-5 Torr частично восстанавливает эмиссионные характеристики. Такое поведение нанографитных эмиттеров объясняется влиянием адсорбционно-десорбционных процессов (обратимая деградация эмиссии) и разрушением материала пленки вследствие бомбардировки ионами остаточных газов (необратимые изменения).
  • Елецкий А.В. // УФН. 2010. Т. 180. С. 897
  • Клещ В.И., Образцов А.Н., Образцова Е.Д. // Письма в ЖЭТФ. 2009. Т. 90. С. 510
  • Jensen K., Kim R., Zettl A. // Nature Nanotech. 2008. Vol. 3. P. 533
  • Jensen K., Weldon J., Garcia H., Zettl A. // Nano Lett. 2007. Vol. 7. P. 3508
  • Janhunen P., Toivanen P.K., Polkko J. et al. // Rev. Scientific Instr. 2010. Vol. 81. P. 111 301
  • Li Ch., Zhang Y., Mann M., Hasko D., Lei W., Wang B., Chu D., Pribalt D., Amaratunga G.A.G., Milne W.I. // Appl. Phys. Lett. 2010. Vol. 97. P. 113 107
  • Spindt C.A., Brodie I., Humphrey L., Westerberg E.R. // J. Appl. Phys. 1976. Vol. 47. P. 5248
  • Obraztsov A.N., Kleshch V.I. // J. of Nanoelectronics and Optoelectronics. 2009. Vol. 4. P. 207
  • Wadhawan A., Stallcup II R.E., Stephens II K.F., Pereza J.M., Akwani I.A. // Appl. Phys. Lett. 2001. Vol. 79. P. 1867
  • Bonard J.-M., Salvetat J.-P., Stockli T., Heer W.A., Forro L., Chatelain A. // Appl. Phys. Lett. 1998. Vol. 73. P. 918
  • Dean K.A., Chalamala B.R. // Appl. Phys. Lett. 1999. Vol. 75. P. 3017
  • Purcell S.T., Vincent P., Journet C., Binh V.T. // Phys. Rev. Lett. 2002. Vol. 88. P. 105 502
  • Bonard J.-M., Klinke Ch., Dean K.A., Coll B.F. // Phys. Rev. B. 2003. Vol. 67. 115 406
  • Kleshch V.I., Susi T., Nasibulin A.G., Obraztsova E.D., Obraztsov A.N., Kauppinen E.I. // Phys. Stat. Sol. B. 2010. Vol. 247. P. 3051
  • Шешин Е.П. Структура поверхности и автоэмиссионные свойства углеродных материалов. М.: МФТИ, 2001. С. 288
  • Елинсон М.И., Васильев Г.Ф. Автоэлектронная эмиссия. М.: Физматгиз, 1958. С. 272
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.