Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Рентгеноспектроскопическое исследование тонких пленок HfO₂, синтезированных на Si (100) методами ALD и MOCVD

Соколов А.А., Овчинников А.А., Лысенков К.М., Марченко Д.Е., Филатова Е.О.¹

¹Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State University, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 21 сентября 2009 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2010 г.

PDF версия

Пленки HfO₂ толщиной 5 nm, выращенные методами гидридной эпитаксии (МОCVD) и молекулярного наслаивания (ALD) на подложках Si(100), изучены методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии в сочетании с Ar⁺ ионным травлением и рентгеновской рефлектометрией. Установлено, что пленки, синтезированные разными методами, имеют разную микроструктуру (пленка HfO₂ (ALD) является аморфной, а пленка HfO₂ (MOCVD) имеет признаки кристаллизации); поверхность пленки, синтезированной методом ALD, является менее устойчивой к загрязнению и/или более химически активной; на интерфейсе пленки, синтезированной методом MOCVD, присутствует больше диоксида кремния по сравнению с пленкой, синтезированной методом ALD. Также показано, что травление поверхности пленки HfO₂ ионами аргона приводит к образованию вблизи интерфейса слоя металлического гафния. Последнее обстоятельство указывает на возможность использования HfO₂ не только в качестве подзатворного диэлектрика, но и материала, пригодного для создания наноразмерных проводников путем прямого разложения окисла.

Giustino F., Bongiorno A., and Pasquarello A. // J. Physics: Cond. Matter. 2005. Vol. 17. P. S2065
Wilk G.D., Wallace R.M., and Anthony J.M. // J. Appl. 2001. Vol. 89. P. 5243
Kingon A.I., Maria J.-P., and Streiffer S.K. // Nature. 2000. Vol. 406. P. 1032
Hsu C.T., Lin Y.J., Su Y.K., Yokoyama M. // J. Appl. Phys. 1992. Vol. 72. P. 4655
Robertson J. // Rep. on Progress in Physics. 2006. Vol. 69. P. 327
Adelmann C., Sriramkumar V., Van Elshocht S., Lehnen P., Conard T., and De Gendt S. // Appl. Phys. Lett. 2007. Vol. 91. P. 162 902
Shi N., Ramprasad R. // Appl. Phys. Lett. 2007. Vol. 91. P. 242 906
Houssa M. High-k Gate Dielectrics. Bristol: Institute of Physics Publishing, 2004. P. 597
Houssa M., Pantisano L., Ragnarsson L.A., Degraeve R., Schram T., Pourtois G., De Gendt S., Groeseneken G., Heyns M.M. // Mater. Sci. \& Eng. R. 2006. Vol. 51. N 4. P. 37
Sayan S., and Garfunkela E. // Appl Phys. Lett. 2002. Vol. 80. P. 2135
Kobayashi K., Yavashi M., Takata Y., Tokushima T., Shin S., Tamasaku K., Miwa D., and Ishikava T. // Appl. Phys. Lett. 2003. Vol. 83. P. 1005
Cho M.-H., Roh Y.S., Whang C.N., Jeong K., Nahm S.W., Ko D.-H., Lee J.H., Lee N.I., and Fujihara K. // Appl. Phys. Lett. 2002. Vol. 81. P. 472
Hoshino Y., Yamamoto K., Hayashi S., and Niwa M. // Appl. Phys. Lett. 2002. Vol. 81. P. 2650
Fedorenko Y.G., Truong L., Afanas'ev V.V., and A. Stesmans A. // Appl. Phys. Lett. 2004. Vol. 84. P. 4771
Lee J.-C., Oh S.-J., Cho M., Hwang C.S., Jung R. // Appl. Phys. Lett. 2004. Vol. 84. P. 1305
Renault O., Samour D., Damlencourt J.-F., Blin D., Martin F., Marthon S., Barrett N.T., Besson P. // Appl. Phys. Lett. 2002. Vol. 81. P. 3627
Kirsch P.D., Kang C.S., Lozano J. // J. Appl. Phys. 2002. Vol. 91. P. 4353
Xie L., Zhao Y., and White M.H. // Solid State Electronics. 2004. Vol. 48. P. 2971
De Almeida R.M.C., and Baumvol I.J.R. // Surfaced Sci. Rep. 2003. Vol. 49. P. 1
Ranault O., Samour D., Rouchon D., Holliger Ph., Papon A.-M., and Marthon S. // Thin Solid Films. 2003. Vol. 428. P. 190
Ferrari S., Modreanu M., Scarel G., and Fanciulli M. // Thin Solid Films. 2004. Vol. 450. P. 124
Nakajima K., Joumori S., Suzuki M., Kimura K., Osipowicz T., Tok L., Zheng J.Z., See A., and Zhang B.C. // Appl. Surface Sci. 2004. Vol. 237. P. 416
Miyata N. // Appl. Phys. Lett. 2006. Vol. 89. P. 102 903
Schlom D.G., and Haeni J.H. // MRS Bulletin. 2002. Vol. 27. P. 198
Park B.K., Park J., Cho M., Hwan C.S., Oh K., Han Y., and Yang D.Y. // Appl. Phys. Lett. 2002. Vol. 80. P. 2368
Lee P.F., Dai J.Y., Chan H.L.W., and Choy C.L. // Ceramics Int. 2004. Vol. 30. P. 1267
He G., Zhang L.D., and Fang Q. // J. Appl. Phys. 2006. Vol. 100. P. 083 517
Zhang L., Terauchi S.-Y., Tan R., Azuma Y., and Fujimoto T. // J. Phys.: Conf. Series. 2007. Col. 83. P. 012 033
Cho D.-Y., Oh S.-J., Chang Y.J., Noh T.W., Jung R., and Lee J.-C. // Appl. Phys. Lett. 2006. Vol. 88. P. 193 502
De Siervo A., Fluchter C.R., Weier D., Schurmann M., Dreiner S., Westphal C., Carazzolle M.F., Pancotti A., Landers R., and Kleiman G.G. // Phys. Rev. B. 2006. Vol. 74. P. 075 319
Mukhopadhyay A.B., Musgrave C.B., and Sanz J.F. // Catalysis Today. 2007. P. 128. N 3. P. 230
Leskela M., Ritala M. // Thin Solid Films. 2002. Vol. 409. P. 138
Jones A.C. // J. Mater. Chemistry. 2002. Vol. 12. P. 2576
Thompson A.G. // Mater. Lett. 1997. Vol. 30. N 4. P. 255
Filatova E.O., Sokolov A.A., Kozhevnikov I.V., Taracheva E.Yu., Grunsky O.S., Schaefers F., and Braun W. // J. Phys.: Condensed Matter. 2009. Vol. 21. P. 185 012
Ramani K., Essary C.R., Craciaun V., Singh R.K. // Appl. Surface Sci. 2007. Vol. 253. P. 6493
Ohtsu N., Tsuchiya B., Oku K., Shikama T., Wagatsuma K. // Appl. Surface Sci. 2007. Vol. 253. P. 6844
Fuggle J.C., Martensson N. // J. Electron Spectroscopy and Related Phenomena. 1980. Vol. 21. P. 275
Park J.B., Lim W.S., Park B.J., Park I.H., Kim Y.W., and Yeom G.Y. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2009. Vol. 42. P. 055 202
Chang S.J., Lee W.C., Hwang J., Hong M., Kwo J. // Thin Solid Films. 2008. Vol. 516. P. 948
Durrani S.M.A., Al-Kuhaili M.F., and Khawaja E.E. // J. Phys.: Condensed Matter, 2003. Vol. 15. P. 8123
Sokolov A.A., Filatova E.O., Afanas'ev V.V., Taracheva E.Yu., Brzhezinskaya M.M., and Ovchinnikov A.A. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2009. Vol. 42. P. 035 308
Zhang W., Zhang S., Liu Y., Chen T. // J. Crystal Growth. 2009. Vol. 311. P. 1296
Miyata N., Nabatame T., Horikawa T., Ichikawa M., and Toriumi A. // Appl. Phys. Lett. 2003. Vol. 82. N 22. P. 472

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель