Влияние имплантации ионов Cr+ и импульсного ионного отжига на формирование и оптические свойства гетероструктур Si/CrSi2/Si(111)
Галкин Н.Г., Горошко Д.Л., Галкин К.Н., Ваванова С.В., Петрушкин И.А., Маслов А.М., Баталов Р.И., Баязитов Р.М., Шустов В.А.1
1Казанский физико-технический институт КазНЦ РАН, Казань, Россия
Email: ngalk@iacp.dvo.ru
Поступила в редакцию: 3 сентября 2009 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2010 г.
Впервые исследовано влияние импульсного ионного отжига (ИИО) на морфологию, структуру и фазовый состав поверхности образцов монокристаллического Si(111), которые были имплантированы ионами хрома (Cr+) с дозами от 6·1015 до 6·1016 cm-2, и на последующий рост кремния. Показано, что ИИО приводит к перераспределению атомов хрома в приповерхностной области кремния и к синтезу поликристаллических преципитатов дисилицида хрома (CrSi2). Установлено, что сверхвысоковакуумная (СВВ) очистка при температуре 850oC образцов кремния после имплантации и ИИО приводит к формированию атомарночистой поверхности с развитым рельефом. Рост кремния методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) приводит к эпитаксиальному ориентированию трехмерных островков кремния и постепенному их срастанию при толщине слоя около 100 nm и дозах имплантации до 1016 cm-2. Повышение дозы имплантации приводит к росту поликристаллического кремния. По данным спектроскопии комбинационного рассеяния света (КРС) и оптической отражательной спектроскопии, внутри кремния формируются преципитаты полупроводникового CrSi2, которые диффузионно перемещаются в слой кремния в процессе его роста.
- Semiconducting Silicides / Ed. by V. Borisenko. Berlin: Springer-Verlag, 2000. 346 p
- Galkin N.G., Velitchko T.V., Skripka S.V., Khrustalev A.B. // Thin Solid Films. 1996. Vol. 280. P. 211--220
- Galkin N.G., Dozsa L., Turchin T.V., Goroshko D.L., Pecz B., Toth L., Dobos L., Khanh N.Q., Cherednichenko A.I. J. // Phys. C: Condensed Matter. 2007. Vol. 19. P. 506 204 (1--11)
- Grimaldi M.G., Bongiorno C., Spinella C., Crilli E., Martinelli L., Gemelli M., Migas D.B., Meglio L., Fanciulli M. // Phys. Rev. B. 2002. Vol. 66. P. 085 319 (1--10)
- Chow C.F., Wong S.P., Gao Y., Ke N., Li Q., Cheung W.Y., Lourenco M.A., Homewood K.P. // Mater. Sci. Eng. B. Solid. 2005. Vol. 124--125. P. 440--443
- Goranova E., Amov B., Baleva M., Trifonova E.P., Yurdanov P. // J. Mater. Sci. 2004. Vol. 39. P. 1857--1859
- Галкин Н.Г. Турчин Т.В., Горошко Д.Л., Плехов Е.Д. // ЖТФ. 2007. Т. 77. С. 120--125
- Галкин Н.Г., Турчин Т.В., Горошко Д.Л. // ФТТ. 2008. Т. 50. С. 345--351
- White A.E., Short K.T., Eaglesham D.J. // Appl. Phys. Lett. 1990. Vol. 56. P. 1260--1263
- Zhu H.N., Gao K.Y., Liu B.X. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2000. Vol. 33. P. L49--L57
- Wang S., Liang H., Zhu P. // Appl. Surf. Sci. 2000. Vol. 153. P. 108--113
- Галкин Н.Г., Горошко Д.Л., Чусовитин Е.А., Полярный В.О., Баязитов Р.М., Баталов Р.И. // ЖТФ. 2008. Т. 78. С. 84--90
- Prabakaran R., Kesavamoorthy R., Amirthapandian S., Xavier Francis P. // Physica B. 2003. Vol. 337. P. 36--42
- Widulle F., Ruf T., Konuma M., Silier I., Cardina M., Kriegseis W., Ozhogin V.I. // Solid State Commun. 2001. Vol. 118. P. 1--22
- Langle H., Giehler M., Henrion W., Fenske F., Sieber I., Oertel G. // Phys. Stat. Sol. B. 1992. Vol. 171. P. 63--71
- Guizzetti G., Marabelli F., Patrini M., Pellegrino P., Pivac B., Miglio L., Meregalli V., Lange H., Hemrion W., Tomm V. // Phys. Rev. B. 1997. Vol. 55. P. 14 290--14 298
- Galkin N.G., Maslov A.M., Konchenko A.V. // Thin Solid Films. 1997. Vol. 311. P. 230--238
- Bellani V., Guizzetti G., Marabelli F., Piaggi A., Borghesi A., Nava F., Antonov V.N., Antonov Vl.N., Jepsen O., Andersen O.K., Nemoshkalenko V.V. // Phys. Rev. B. 1992. Vol. 46. P. 9380--9389
- Galkin N.G. // Thin Solid Films. 2007. Vol. 515. P. 8179--8190
- Гавриленко В.И., Грехов А.М., Корбутяк Д.В., Литовченко В.Г. Оптические свойства полупроводников. Справочник. Киев: Наук. думка, 1987. 586 с
- Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников. М.: Наука, 1977. 275 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
