ФТТ, 2006, том 48, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Структурные исследования тонких слоев кремния,
многократно имплантированных ионами углерода

К.Х.Нусупов, Н.Б.Бейсенханов, И.В.Валитова, Е.А.Дмитриева, Д.Жумагалиулы, Е.А.Шиленко

Физико-технический институт Министерства образования и науки Казахстана,
050032 Алма-Aта, Казахстан
E-mail: beisen@sci.kz

(Поступила в Редакцию 27 июня 2005 г.
В окончательной редакции 15 декабря 2005 г.)

Методами электронной микроскопии, рентгеновской дифракции, Оже-электронной и ИК-спектроскопии исследуются состав и структура однородных слоев SiC1.4 и SiC0.12, полученных многократной имплантацией в кремний ионов углерода с энергиями 40, 20, 10, 5 и 3 keV. На основе температурных зависимостей (200-1400oC) параметров пика ИК-пропускания показано, что рост количества атомов углерода, находящихся в связанном состоянии с атомами кремния и участвующих в поглощении, обусловлен процессами формирования и распада гексагональных, близких к тетраэдрической и кратных связей Si--C, а также распада прочных оптически неактивных углеродных кластеров. Высокая температура кристаллизации SiC (1200oC) в слое SiC1.4 объясняется наличием стабильных кратных связей Si--C и прочных кластеров углерода. Показано наличие прочных углеродных кластеров в имплантированном слое SiC0.12 и влияние их распада на формирование тетраэдрических связей при температурах 1200-1400oC.

PACS: 68.35.Nq, 61.72.Tt

 PDF версия (957Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster