Издателям
Вышедшие номера
Влияние дополнительной примеси Zn на вид спектров фотолюминесценции вюрцитных кристаллов GaN, легированных редкоземельным ионом Eu
Мездрогина М.М.1, Криволапчук В.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: margaret.m@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 24 июня 2005 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2006 г.

Введение дополнительной примеси Zn (ко-допанта) существенно увеличивает интенсивность излучения в коротковолновой области спектра в кристаллах GaN, легированных Eu. Существенное увеличение интенсивности излучения (lambda=400-450 nm) в кристаллах, имеющих p-тип проводимости, связано с излучением внутрицентровых f-f-переходов, характерных для иона Eu3+. Для кристаллов n-GaN с большой степенью компенсации мелкими примесями дополнительное легирование Zn приводит лишь к увеличению интенсивности донорно-акцепторной полосы (полосы DAR). Работа выполнена при поддержке программы Президиума РАН "Низкоразмерные квантовые структуры". PACS: 78.55.-m, 78.55.Cr, 71.35.-y
  • В.В. Криволапчук, Ю.В. Кожанова, В.В. Лундин, М.М. Мездрогина, С.Н. Родин, Ш.А. Юсупова. ФТП 38, 11, 1308 (2004)
  • В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина, А.В. Насонов, С.Н. Родин. ФТТ 45, 9, 1556 (2003)
  • H.Y. Peng, C.W. Lee, H.O. Everitt, A.J. Steckel, J.M. Zavada. Appl. Phys. Lett. 86, 051 110 (2005)
  • S. Kim, S.J. Phee, X. Li, J.J. Colemann, S.G. Bishop. Appl. Phys. Lett. 76, 2403 (2000)
  • C.L. Wu, I.-J. Chou, S. Gwo. Appl. Phys. Lett. 85, 11, 2071 (2004)
  • М.М. Мездрогина, М.П. Аннаоразова, Е.И. Теруков, И.Н. Трапезникова, Н. Назаров. ФТП 33, 10, 1260 (1999)
  • М.И. Гайдук, В.Ф. Золин, Л.С. Гайгерова. Спектры люминесценции европия. Наука, М. (1974)
  • P. Sutter, M.G. Logally. Phys. Rev. Lett. 84, 4637 (2000)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.