Издателям
Вышедшие номера
Влияние дополнительной примеси Zn на вид спектров фотолюминесценции вюрцитных кристаллов GaN, легированных редкоземельным ионом Eu
Мездрогина М.М.1, Криволапчук В.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: margaret.m@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 24 июня 2005 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2006 г.

Введение дополнительной примеси Zn (ко-допанта) существенно увеличивает интенсивность излучения в коротковолновой области спектра в кристаллах GaN, легированных Eu. Существенное увеличение интенсивности излучения (lambda=400-450 nm) в кристаллах, имеющих p-тип проводимости, связано с излучением внутрицентровых f-f-переходов, характерных для иона Eu3+. Для кристаллов n-GaN с большой степенью компенсации мелкими примесями дополнительное легирование Zn приводит лишь к увеличению интенсивности донорно-акцепторной полосы (полосы DAR). Работа выполнена при поддержке программы Президиума РАН "Низкоразмерные квантовые структуры". PACS: 78.55.-m, 78.55.Cr, 71.35.-y
  1. В.В. Криволапчук, Ю.В. Кожанова, В.В. Лундин, М.М. Мездрогина, С.Н. Родин, Ш.А. Юсупова. ФТП 38, 11, 1308 (2004)
  2. В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина, А.В. Насонов, С.Н. Родин. ФТТ 45, 9, 1556 (2003)
  3. H.Y. Peng, C.W. Lee, H.O. Everitt, A.J. Steckel, J.M. Zavada. Appl. Phys. Lett. 86, 051 110 (2005)
  4. S. Kim, S.J. Phee, X. Li, J.J. Colemann, S.G. Bishop. Appl. Phys. Lett. 76, 2403 (2000)
  5. C.L. Wu, I.-J. Chou, S. Gwo. Appl. Phys. Lett. 85, 11, 2071 (2004)
  6. М.М. Мездрогина, М.П. Аннаоразова, Е.И. Теруков, И.Н. Трапезникова, Н. Назаров. ФТП 33, 10, 1260 (1999)
  7. М.И. Гайдук, В.Ф. Золин, Л.С. Гайгерова. Спектры люминесценции европия. Наука, М. (1974)
  8. P. Sutter, M.G. Logally. Phys. Rev. Lett. 84, 4637 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.