Издателям
Вышедшие номера
Зонно-энергетическая структура и рефрактивные свойства кристаллов LiRbSO4
Бовгира О.В.1, Стадник В.И.1, Чиж О.З.1
1Львовский национальный университет им. И. Франко, Львов, Украина
Email: vasylstadnyk@ukr.net
Поступила в редакцию: 21 апреля 2005 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2006 г.

Изучена зонно-энергетическая структура механически свободных и зажатых монокристаллов LiRbSO4. Установлено, что вершина валентной зоны локализована в точке D ( k=(0.5,0.5,0) ), дно зоны проводимости находится в точке Gamma, а ширина наименьшей прямой запрещенной щели Eg=5.20 eV. Дно зоны проводимости сформировано в основном s,p-состояниями Li и Rb, гибридизированными с антисвязующими p-состояниями S и O. Определены барические коэффициенты изменения энергетического положения состояний валентной зоны, зоны проводимости и Eg. Проанализированы барические изменения показателей преломления ni. PACS: 71.20.Ps, 78.20.Ci
  • К.С. Александров, Б.В. Безносиков. Структурные фазовые переходы в кристаллах (семейство сульфата калия). Наука, Новосибирск (1993). 286 с
  • W. Steurer, H. Wittmann, H. Jagodzinski. Acta Cryst. B 42, 11 (1986)
  • A. Kunishge, H.J. Mashiyama. J. Phys. Soc. Jap. 56, 9, 3189 (1987)
  • H. Mashiyama, H.-G. Unruh. J. Phys. Soc. Jap. 54, 2, 822 (1985)
  • K. Hasebe, T. Asahi. Phys. Rev. B 41, 10, 6794 (1990)
  • M.I. Kolinko. J. Phys.: Cond. Matter 6, 1, 167 (1994)
  • М.И. Колинько, О.В. Бовгира. УФЖ 46, 7, 707 (2001)
  • G.B. Bachelet, D.R. Hamann, M. Schluter. Phys. Rev. B 26, 8, 4199 (1982)
  • D.J. Chadi, M.L. Cohen. Phys. Rev. B 8, 5, 5747 (1973)
  • В.В. Немошкаленко, В.Н. Антонов. Методы вычислительной физики в теории твердого тела. Зонная теория металлов. Наук. думка, Киев (1985). 408 с
  • R.E. Cohen, O. Gulseren, R.J. Hemley. Amer. Mineralologist. 85, 338 (2000)
  • P. Ravindran, G. Subramoniam, R. Asokamani. Phys. Rev. B 53, 3, 1129 (1996)
  • В.И. Стадник, М.О. Романюк, Л.Т. Карплюк. ЖФД 7, 3, 349 (2003)
  • В.И. Стадник, М.О. Романюк, Л.Т. Карплюк. УФЖ 49, 8, 808 (2004)
  • T. Moss. Optic properties of semiconductors. London (1961). 296 p
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.