ФТТ, 2004, том 46, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фотолюминесценция и структурные дефекты слоев кремния, имплантированных ионами железа

Э.А.Штейнман, В.И.Вдовин *, А.Н.Изотов, Ю.Н.Пархоменко **, А.Ф.Борун **

Институт физики твердого тела Российской академии наук,
142432 Черноголовка, Московская обл., Россия
* Институт химических проблем микроэлектроники,
Москва, Россия
** Московский институт стали и сплавов,
117936 Москва, Россия

Измерены спектры фотолюминесценции (ФЛ) образцов кремния, имплантированных ионами железа 56Fe+ с энергией 170 keV и дозами 1· 1016, (2-4)· 1017 cm-2 и отожженных при температурах 800, 900 и 1000oC. На каждом этапе обработки образцов выполнены структурные исследования методом просвечивающей электронной микроскопии. Обнаружена четкая закономерность в образовании фаз и морфологии кристаллических образований дисилицида железа в зависимости от дозы ионов железа и температуры отжига. Сопоставление данных для зависимостей интенсивности ФЛ и ее спектрального распределения от температуры измерения, температуры отжига и морфологии фазы FeSi2 позволило сделать заключение о дислокационной природе ФЛ.

Работа выполнена при частичной поддержке ИНТАС (грант N 2001-0194).

 PDF версия (1.0Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster