Вышедшие номера
Фотолюминесценция и структурные дефекты слоев кремния, имплантированных ионами железа
Штейнман Э.А.1, Вдовин В.И.2, Изотов А.Н.1, Пархоменко Ю.Н.3, Борун А.Ф.3
1Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
2Институт химических проблем микроэлектроники, Москва, Россия
3Московский институт стали и сплавов, Москва, Россия
Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.

Измерены спектры фотолюминесценции (ФЛ) образцов кремния, имплантированных ионами железа 56Fe+ с энергией 170 keV и дозами 1· 1016, (2-4)· 1017 cm-2 и отожженных при температурах 800, 900 и 1000oC. На каждом этапе обработки образцов выполнены структурные исследования методом просвечивающей электронной микроскопии. Обнаружена четкая закономерность в образовании фаз и морфологии кристаллических образований дисилицида железа в зависимости от дозы ионов железа и температуры отжига. Сопоставление данных для зависимостей интенсивности ФЛ и ее спектрального распределения от температуры измерения, температуры отжига и морфологии фазы FeSi2 позволило сделать заключение о дислокационной природе ФЛ. Работа выполнена при частичной поддержке ИНТАС (грант N 2001-0194).