Издателям
Вышедшие номера
Влияние ионной имплантации P+, B+ и N+ на люминесцентные свойства системы SiO2 : nc-Si
Тетельбаум Д.И.1, Горшков О.Н.1, Бурдов В.А.1, Трушин С.А.1, Михайлов А.Н.1, Гапонова Д.М.2, Морозов С.В.2, Ковалев А.И.3
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3Центральный научно-исследовательский институт черной металлургии, Москва, Россия
Email: Tetelbaum@phys.unn.ru
Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.

Рассмотрены и систематизированы возможные механизмы влияния примесей пятой и третьей групп таблицы Менделеева на люминесцентные свойства системы нанокристаллов кремния в SiO2. Приведены экспериментальные данные по влиянию ионной имплантации бора и азота на интенсивность фотолюминесценции. Эти данные вместе с ранее опубликованными результатами изучения ионного легирования фосфором обсуждаются с точки зрения указанных механизмов. Приведены также результаты по определению состояния имплантированного фосфора, полученные методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Показано, что усиление или ослабление фотолюминесценции зависит как от сорта легирующей примеси, так и от условий постимплантационной термообработки. Работа выполнена при поддержке фонда INTAS (грант N 00-0064) и программы Минобразования РФ "Научные исследования высшей школы в приоритетных направлениях науки и техники" (подпрограмма 205).
  • M. Fujii, S. Hayashi, K. Yamamoto. J. Appl. Phys. 83, 7953 (1998)
  • M. Fujii, A. Mimura, S. Hayashi, K. Yamamoto. Appl. Phys. Lett. 75, 2, 184 (1999)
  • A. Mimura, M. Fujii, S. Hayashi, D. Kovalev, F. Koch. Phys. Rev. B 62, 19, 12 625 (2000)
  • Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, К.С. Журавлев. M.-O. Ruault. ФТП 35, 10, 1235 (2001)
  • D.I. Tetelbaum, O.N. Gorshkov, S.A. Trushin, D.G. Revin, D.M. Gaponova, W. Eckstein. Nanotechnology 11, 295 (2000)
  • D.I. Tetelbaum, S.A. Trushin, V.A. Burdov, A.I. Golovanov, D.G. Revin, D.M. Gaponova. Nucl. Instr. Meth. B 174, 123 (2001)
  • В.А. Бурдов, О.Н. Горшков, А.Н. Михайлов, Д.И. Тетельбаум, С.А. Трушин, Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, Д.М. Гапонова. Изв. РАН. Сер. физ. 67, 2, 186 (2003)
  • G.A. Kachurin, I.E. Tischenko, K.S. Zhuravlev, N.A. Pazdnikov, V.A. Volodin, A.K. Gutakovsky, A.F. Leiser, W. Skorupa, R.A. Yankov. Nucl. Instr. Meth. B 122, 571 (1997)
  • K.S. Min, K.V. Scheglov, C.M. Yang, H.A. Atwater, M.L. Brongersma, A. Polman. Appl. Phys. Lett. 69, 2033 (1996)
  • B. Garrido Fernandez, M. Lopez, C. Garcia, A. Perez-Rodriguez, J.R. Morante, C. Bonafos, M. Carrada, A. Claverie. J. Appl. Phys. 91, 2, 798 (2002)
  • T. Shimizu-Iwayama, K. Fujita, S. Nakao, K. Saitoh, R. Fujita, N. Itoh. J. Appl. Phys. 75, 7779 (1994)
  • Y. Kanemitsu, S. Okamato. Phys. Rev. B 58, 9652 (1998)
  • M. Lannoo, C. Delerue, G. Allan, J. Lumin. 70, 170 (1996)
  • Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, Д.И. Тетельбаум, А.Н. Михайлов. ФТП 37, 6, 738 (2003)
  • Л.С. Смирнов. Вопросы радиационной технологии полупроводников. Наука, Новосибирск (1980). 296 с
  • D.I. Tetelbaum, S.A. Trushin, A.N. Mikhaylov, V.K. Vasil'ev, G.A. Kachurin, S.G. Yanovskaya, D.M. Gaponova. Physica E: Low-dim. Syst. Nanostruct. 16, 3--4. 410 (2003)
  • J.B. Beales, C.R. Day. Phys. Chem. Glass. 21, 1, 5 (1980).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.