Издателям
Вышедшие номера
Излучательная электронно-дырочная рекомбинация в кремниевых квантовых точках с участием фононов
Беляков В.А.1, Бурдов В.А.1, Гапонова Д.М.2, Михайлов А.Н.1, Тетельбаум Д.И.1, Трушин С.А.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: burdov@phys.unn.ru
Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.

Экспериментально и теоретически изучается температурная зависимость спектра фотолюминесценции и рассчитывается время электронно-дырочной излучательной рекомбинации в кремниевых квантовых точках. Обсуждается зависимость времени рекомбинации от размера квантовой точки. Экспериментально показано, что интенсивность фотолюминесценции уменьшается примерно на 60% с ростом температуры от 77 до 293 K. Теоретические расчеты показывают слабую зависимость характерного времени рекомбинации от температуры, поэтому уменьшение интенсивности фотолюминесценции связывается в основном с безызлучательными переходами. Также показано, что излучение с участием фононов идет гораздо более эффективно, чем в их отсутствии. При этом зависимость времени рекомбинации от размера квантовой точки изменяется с R8 (для бесфононного перехода) на R3. Работа поддержана программой "Университеты России" (грант N УР.01.01.057).
  • S. Takeoka, M. Fujii, S. Hayashi. Phys. Rev. B 62, 24, 16 820 (2000)
  • Y. Kanemitsu, S. Okamoto. Phys. Rev. B 56, 24, 15 561 (1997)
  • Y. Kanemitsu. Phys. Rev. B 53, 20, 13 515 (1996)
  • Y. Kanemitsu, N. Shimizu, T. Komoda et al. Phys. Rev. B 54, 20, 14 329 (1996)
  • T. Shimizu-Iwayama, S. Nakao, K. Saitoh. Appl. Phys. Lett. 65, 14, 1814 (1994)
  • G.A. Kachurin, I.E. Tischenko, K.S. Zhuravlev et al. Nucl. Instr. Meth. B 122, 571 (1997)
  • D.I. Tetelbaum, S.A. Trushin, V.A. Burdov et al. Nucl. Instr. Meth. B 174, 123 (2001)
  • T. Takagahara, K. Takeda. Phys. Rev. B 46, 23, 15 578 (1992)
  • D.I. Tetelbaum, V.A. Burdov, S.A. Trushin, A.N. Mikhaylov. Proc. of 10th International Symposium "Nanostructures: Physics and technology". St.Petersburg (2002). P. 206
  • А.И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников. Наука, М. (1978)
  • M. Voos, Ph. Uzan, C. Delalande et al. Appl. Phys. Lett. 61, 10, 1213 (1992)
  • А.А. Копылов. ФТП 16, 12, 2141 (1982)
  • В.А. Бурдов. ЖЭТФ 121, 2, 480 (2002)
  • M.S. Hybertsen. Phys. Rev. Lett. 72, 10, 1514 (1994)
  • O.J. Glembocki, F.H. Pollak. Phys. Rev. B 25, 6, 1193 (1982)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.