Издателям
Вышедшие номера
Формирование двумерных структур фотонных кристаллов в кремнии для ближнего ИК диапазона с использованием остросфокусированных ионных пучков
Вяткин А.Ф.1, Гаврилин Е.Ю.1, Горбатов Ю.Б.1, Старков В.В.1, Сироткин В.В.1
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Московская обл., Россия
Email: Vyatkin@ipmt-hpm.ac.ru
Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.

Одним из двух вариантов реализации двумерных фотонных кристаллов в кремнии являются упорядоченные структуры макропор в кремниевой подложке. Характерные размеры пор --- диаметр и толщина стенок между порами --- определяют диапазон длин волн, в котором такая структура проявляет свойства фотонного кристалла. Для ближнего ИК диапазона эти размеры приближаются к одному микрону и даже уходят в субмикронную область. В настоящей работе попытка формирования упорядоченной структуры макропор с такими размерами предпринята с использованием остросфокусированных ионных пучков для стимулирующего воздействия имплантированных ионов на процесс зарождения пор в заданных местах поверхности кремниевой подложки. Показано, что уже при малых дозах ионной имплантации (2x 1013 ion/cm2) происходит зарождение пор в местах ионного облучения. Предложена модель, описывающая ориентирующее влияние ионного облучения на зарождение пор.
  • T.F. Krauss, R.M. De La Rue. Progr. Quantum. Electronics 23, 51 (1999)
  • E.V. Astrova, T.N. Vasunkina. Semiconductors 36, 5, 564 (2002)
  • A. Vyatkin, V. Starkov, V. Tzeitlin, H. Presting, J. Konle, U. Konig. J. Electrochem. Soc. 149, 1, G7 (2002)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.