Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4 5 6 7
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Регистрация с помощью второй гармоники изменений слабых напряжений в слоях HgCdTe при воздействии локального нагрева

Ступак М.Ф.¹, Дворецкий С.А.², Михайлов Н.Н.², Макаров С.А.¹, Елесин А.Г.¹

¹Конструкторско-технологический институт научного приборостроения СО РАН, Новосибирск, Россия Technological Design Institute of Scientific Instrument Engineering at the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences (TDI SIE SB RAS), Novosibirsk, Russia

Technological Design Institute of Scientific Instrument Engineering at the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences (TDI SIE SB RAS), Novosibirsk, Russia

²Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Email: dvor@isp.nsc.ru

Поступила в редакцию: 6 марта 2025 г.

В окончательной редакции: 6 марта 2025 г.

Принята к печати: 5 мая 2025 г.

Выставление онлайн: 18 августа 2025 г.

PDF версия

Абстракт
Литература

Проведено исследование теплового воздействия слабым лазерным инфракрасным излучением в локальной точке слоя HgCdTe сложной гетероструктуры (013)HgCdTe/CdTe/ZnTe/GaAs с одновременным измерением сигнала второй гармоники нуль методом на "отражение". Мощность воздействия составляла 0.8 mW в лазерном пучке диаметром ~ 400 μm со временем облучения в течение 15 минут. Наблюдалось расщепление сигнала второй гармоники в максимумах с появлением дополнительных двух пиков. С увеличением времени воздействия до 15 минут величина сигнала второй гармоники в первоначальном максимуме уменьшилась до величины шумов системы измерений, с одновременным увеличением высоты дополнительных пиков от 3000 до 6000 единиц счета. После окончания лазерного воздействия форма сигнала второй гармоники восстанавливается до начального вида с уменьшением их величины до 1700-2200 единиц счета. Температура в точке воздействия измерялось с помощью тепловизора и составила в начале измерений 24.0 ^oС и в конце воздействия 24.6 ^oС. Ключевые слова: напряжения, HgСdTe, вторая гармоника, лазер, нуль метод

С.А. Ахманов, В.II. Емельянов, Н.И. Воротеев, В.Н. Семиногов. УФН, 147, 4, 675 (1985)
А.А. Ионин, С.И. Кудряшов, А.А. Самохин. УФН, 187, 2, 159 (2017)
А.В. Двуреченский Л.В., Г.А. Качурин, Н.В. Нидаев, Л.С. Смирнов. Импульсный отжпг полупроводниковых материалов. Наука, Новосибирск. (1982). 208 с
S.D. Ferris. Laser-Solid Interactions and Laser Processing --- 1978. AIP. Amer. Inst. Phys. NY. (1979). 685 c
М.М. Зарипов, И.Б. Хайбуллин, Е.И. Штырков. ФТП, 11, 2, 330 (1977)
Л.Н. Александров. Кинетика кристаллизации и перекристаллизации полупроводниковых пленок. Наука, Новосибирск. (1985). 224 с
N. Bloembergen, P. Pershan. Phys. Rev., 128, 606 (1962)
С.А. Axманов, М.Ф. Галяутдинов, Н.И. Коротеев, Г.А. Паитян, И.В. Хайбуллин, Е.И. Штырков, И.Л. Шумай. Письма ЖТФ, 10, 1900 (1984)
D. Guidotti, T.A. Driscoll, H.J. Gerritsen. Sol. State Commun., 46, 337 (1983)
T.A. Driscoll, D. Guidotti. Phys. Rev. Ser. B, 28, 1171 (1983)
М.Ф. Ступак, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, С.Н. Макаров, А.Г. Елесин, А.Г. Верхогляд. ЖТФ, 91, 11, 1799 (2021)
M.F. Stupak, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, S.N. Makarov, A.G. Elesin. J. Appl. Phys., 134, 185102 (2023)
Ю.Г. Сидоров, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, В.С. Варавин, А.П. Анциферов. Оптический журнал, 67, 1, 39 (2000)
М.Ф. Ступак, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, М.В. Якушев. Автометря, 55, 5, 31 (2019)
М.Ф. Ступак, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, М.В. Якушев, Д.Г. Икусов, С.Н. Макаров, А.Г. Елесин, А.Г. Верхогляд. ФТТ, 62, 2, 214 (2020)
С.А. Дворецкий, М.Ф. Ступак, Н.Н. Михайлов, С.Н. Макаров, А.Г. Елесин, А.Г. Верхогляд. ФТП, 56, 8, 780 (2022)
М.Ф. Ступак, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, С.Н. Макаров, А.Г. Елесин. Оптический журнал. 91, 2, 88 (2024)
В.С. Варавин, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, И.В. Сабинина. ФТП 35, 9, 1092 (2001)
Sadao Adachi. Optical Constants of Crystalline and Amorphous Semiconductors. Springer Science+Business Media, N. Y. (1999). 286 с
Ю.Г. Сидоров, М.В. Якушев, В.С. Варавин, А.В. Колесников, Е.М. Труханов, И.В. Сабинина, И.Д. Лошкарев. ФТТ, 57, 11, 2095 (2015)
G. Brill, S. Farrel, Y.P. Chen, P.S. Wijewarnasuriya, N. Mulpury, V. Rao, J.D. Benson, N. Dhar. J. Electr. Mat, 39, 7, 967 (2010)

Учредители

Издатель