Исследованы магнитные свойства субмикронных слоев оксида железа-III, выращенных методом mist-CVD эпитаксии на сапфировой подложке базисной ориентации (0001) с буферным слоем 2H-GaN и без него. Показано, что оба слоя по составу близки к α-Fe₂O₃ (гематит). Наличие буферного слоя GaN приводит к увеличению намагниченности насыщения и остаточной намагниченности насыщения. Данные магнитометрии и магнитно-силовой микроскопии позволили выполнить теоретические оценки, свидетельствующие о наличии вихревых магнитных структур в исследованных слоях. Ключевые слова: Оксид железа, гематит, маггемит, нитрид галлия, субмикронные слои, сапфир, mist-CVD, магнитный гистерезис, магнитные состояния, вихревые структуры.