Вышедшие номера
Сложное поведение кристаллизации и рост ориентированных слоев аморфных нанопленок MoTe2 на подложках из переходных металлов
РНФ, 22-19-00766
Якушев П.Н. 1, Берштейн В.А.1, Колобов А.В.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
Email: yak@pav.ioffe.ru, vbersht.polmater@mail.ioffe.ru, akolobov@herzen.spb.ru
Поступила в редакцию: 30 апреля 2024 г.
В окончательной редакции: 28 октября 2024 г.
Принята к печати: 30 октября 2024 г.
Выставление онлайн: 19 января 2025 г.

Дихалькогениды переходных металлов нашли широкое применение в различных областях электроники (спинтроника, оптоэлектроника, устройства памяти) в качестве двумерных полупроводников в виде тонких кристаллических пленок. Одним из методов их получения является кристаллизация в твердом состоянии из аморфной фазы на различных подложках. В данной работе измерения дифференциальной сканирующей калориметрии показали, что нанослои MoTe2, осажденные на различные подложки (Ta, Al, W, Mo), находятся в различных структурных состояниях: аморфном, частично кристаллическом или полностью кристаллическом. Было обнаружено, что температуры стеклования, диапазоны кристаллизации и энтальпии различаются в зависимости от подложки. Это означает, что какова бы ни была причина наблюдаемых различий, результаты, полученные на одной подложке, не могут быть использованы при изменении материала подложки. Ключевые слова: TDMCs (Монослои дихалькогенидов переходных металлов, ДПМ), кристаллизация, DSC (ДСК, дифференциальная сканирующая калориметрия).