Вышедшие номера
Особенности осаждения оксида алюминия на массив нитевидных нанокристаллов ITO
Аксенова В.В.1,2, Павлюченко А.С. 1, Марков Л.К. 1, Смирнова И.П. 1, Меш М.В.2, Шестаков Д.С.2, Вербо В.А. 2, Волков Д.Ю.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2АО "СКТБ Кольцова", Санкт-Петербург, Россия
Email: valeriya11-12@mail.ru, A.S.Pavluchenko@mail.ioffe.ru, l.markov@mail.ioffe.ru, irina@quantum.ioffe.ru, mesh@koltsov-kb.ru, shestakov.d@koltsov-kb.ru, verbo.v@koltsov-kb.ru, diman15656@gmail.com
Поступила в редакцию: 30 апреля 2024 г.
В окончательной редакции: 28 октября 2024 г.
Принята к печати: 30 октября 2024 г.
Выставление онлайн: 19 января 2025 г.

В данной работе исследовался процесс осаждения оксида алюминия на пленки, образованные нитевидными нанокристаллами ITO, а также влияние защитного слоя на оптические характеристики покрытия. На начальных стадиях пленка Al2O3 покрывает тонким слоем поверхность отдельных нитевидных нанокристаллов, сохраняя градиентный характер показателя преломления покрытия. По мере увеличения слоя Al2O3 вследствие разброса нанокристаллов ITO по высоте формируется рельеф, образуемый куполообразными выпуклостями на поверхности получаемой пленки с характерным масштабом до 1 mkm, что позволяет создать эффективно рассеивающую свет структуру. Ключевые слова: наноструктурированные пленки, ITO, магнетронное распыление, оксид алюминия, рассеяние света.
  1. Y. Zhang, Q. Li, Z. Tian, P. Hu, X. Qin, F. Yun. SN Applied Sciences 2, 1--11 (2020)
  2. Y. Shen, Y. Zhao, J. Shen, X. Xu. JOM 69, 1155--1159 (2017)
  3. S.M. Yang, H.K. Yen, K.C. Lu. Nanomaterials 12, 6, 897 (2022)
  4. N. Yamamoto, K. Morisawa, J. Murakami, Y. Nakatani. ECS Solid State Letters 3, 7, 84 (2014)
  5. M. Lopez, J.L. Frieiro, M. Nuez-Marti nez, M. Pedemonte, F. Palacio, F. Teixidor. Nanomaterials 10, 10, 1974 (2020)
  6. L.K. Markov, A.S. Pavluchenko, I.P. Smirnova. Semiconductors 53, 172--179 (2019)
  7. L.K. Markov, A.S. Pavluchenko, I.P. Smirnova, M.V. Mesh, D.S. Kolokolov, A.P. Pushkarev. Semiconductors 57, 5, 257--262 (2023)