Вышедшие номера
Диэлектрическая спектроскопия пленок AgI, легированных Cu
Министерство просвещения РФ, VRFY-2023-0005
Ильинский А.В.1, Кастро Р.А.2, Климов В.А.1, Кононов А.А.2, Попова И.О.2, Шадрин Е.Б.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
Email: timof-ira@yandex.ru
Поступила в редакцию: 30 апреля 2024 г.
В окончательной редакции: 28 октября 2024 г.
Принята к печати: 30 октября 2024 г.
Выставление онлайн: 19 января 2025 г.

Установлено, что легирование пленок AgI атомами Cu существенно уменьшает концентрацию равновесных электронов. Она оказывается столь малой, что массив свободных электронов в зоне проводимости нанокристаллитов пленки не в состоянии полностью экранировать внешнее зондирующее электрическое поле, прикладываемое к образцу в методе диэлектрической спектроскопии. Показано, что данное обстоятельство позволяет наблюдать при исследовании ДС AgI:Cu дрейф свободных электронов, свободных дырок, массивных ионов серебра. Определены параметры петли термического гистерезиса частотного положения максимума функции диэлектрических потерь. Определены времена максвелловской релаксации для электронов, дырок и системы "расплавленных" ионов серебра. Ключевые слова: диэлектрические спектры, суперионики, йодид серебра, пленки AgI, фазовый переход полупроводник-суперионик.
  1. А.А. Кононов, А.В. Ильинский, Р.А. Кастро, В.А. Климов, М.Э. Пашкевич, И.О. Попова, Е.Б. Шадрин, ФТП, 2023, 57, 8, 624 (2023)
  2. A.V. Ilinskiy, E.B. Shadrin, R.A. Castro, I.O. Popova, Phys. Complex Systems, 3, 4, 202 (2023)
  3. Т.Ю. Вергентьев, Е.Ю. Королева, Д.А. Курдюков, А.А. Набережнов, А.В. Филимонов. ФТТ, 55, 1, 157 (2013)
  4. Н.Н. Биккулова, Ю.М. Степанов, Л.В. Биккулова, А.Р. Курбангулов, А.Х. Кутов, Р.Ф. Карагулов. Кристаллография, 58, 4, 603 (2013)
  5. А.В. Ильинский, Р.А. Кастро, М.Э. Пашкевич, И.О. Попова, Е.Б. Шадрин. ФТТ, 62, 12, 2138 (2020)
  6. А.А. Kononov, R.A. Castro, Y. Saito, P. Fons, G.A. Bordovsky, N.I. Anisimova, A.V. Kolobov. J. Mater. Sci. Mater. Electron., 32, 10, 14072 (2021)