Диэлектрическая спектроскопия пленок AgI, легированных Cu
Министерство просвещения РФ, VRFY-2023-0005
Ильинский А.В.1, Кастро Р.А.2, Климов В.А.1, Кононов А.А.2, Попова И.О.2, Шадрин Е.Б.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
Email: timof-ira@yandex.ru
Поступила в редакцию: 30 апреля 2024 г.
В окончательной редакции: 28 октября 2024 г.
Принята к печати: 30 октября 2024 г.
Выставление онлайн: 19 января 2025 г.
Установлено, что легирование пленок AgI атомами Cu существенно уменьшает концентрацию равновесных электронов. Она оказывается столь малой, что массив свободных электронов в зоне проводимости нанокристаллитов пленки не в состоянии полностью экранировать внешнее зондирующее электрическое поле, прикладываемое к образцу в методе диэлектрической спектроскопии. Показано, что данное обстоятельство позволяет наблюдать при исследовании ДС AgI:Cu дрейф свободных электронов, свободных дырок, массивных ионов серебра. Определены параметры петли термического гистерезиса частотного положения максимума функции диэлектрических потерь. Определены времена максвелловской релаксации для электронов, дырок и системы "расплавленных" ионов серебра. Ключевые слова: диэлектрические спектры, суперионики, йодид серебра, пленки AgI, фазовый переход полупроводник-суперионик.
- А.А. Кононов, А.В. Ильинский, Р.А. Кастро, В.А. Климов, М.Э. Пашкевич, И.О. Попова, Е.Б. Шадрин, ФТП, 2023, 57, 8, 624 (2023)
- A.V. Ilinskiy, E.B. Shadrin, R.A. Castro, I.O. Popova, Phys. Complex Systems, 3, 4, 202 (2023)
- Т.Ю. Вергентьев, Е.Ю. Королева, Д.А. Курдюков, А.А. Набережнов, А.В. Филимонов. ФТТ, 55, 1, 157 (2013)
- Н.Н. Биккулова, Ю.М. Степанов, Л.В. Биккулова, А.Р. Курбангулов, А.Х. Кутов, Р.Ф. Карагулов. Кристаллография, 58, 4, 603 (2013)
- А.В. Ильинский, Р.А. Кастро, М.Э. Пашкевич, И.О. Попова, Е.Б. Шадрин. ФТТ, 62, 12, 2138 (2020)
- А.А. Kononov, R.A. Castro, Y. Saito, P. Fons, G.A. Bordovsky, N.I. Anisimova, A.V. Kolobov. J. Mater. Sci. Mater. Electron., 32, 10, 14072 (2021)