Вышедшие номера
Узкозонные гетероструктуры InAs1-ySby/InAsSbP (y=0.09-0.16) для спектрального диапазона 4-6 μm, полученные методом МОГФЭ
Переводная версия: 10.1134/S1063783419100305
Романов В.В.1, Иванов Э.В.1, Моисеев К.Д.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mkd@iropt2.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 20 мая 2019 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2019 г.

Методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений были получены асимметричные гетероструктуры n-InAs/InAs1-ySby/p-InAsSbP с узкозонным активным слоем в интервале составов y=0.09-0.16. Электролюминесценция при комнатной температуре наблюдалась вплоть до длины волны λ=5.1 μm в максимуме спектра. Исследование спектров низкотемпературной электролюминесценции позволило установить существование двух каналов излучательной рекомбинации, обусловленных природой гетерограницы InAsSb/InAsSbP. Продемонстрировано влияние химии поверхности активного слоя на состав наращиваемого барьерного слоя и на формирование гетероперехода InAsSb/InAsSbP при увеличении концентрации сурьмы в твердом растворе InAsSb. Ключевые слова: антимониды, МОГФЭ, люминесценция, InAs, гетеропереходы.
  1. M. Fang, K.Y. Ma, D.H. Law, R.M. Cohen, G.B. Stringfellow. J. Appl. Phys. 67, 7034 (1990)
  2. S.S. Kizhayev, N.V. Zotova, S.S. Molchanov, B.V. Pushnyi, Yu.P. Yakovlev. J. Cryst. Growth 248, 296 (2003)
  3. A.N. Baranov, A.N. Imenkov, V.V. Sherstnev, Yu.P. Yakovlev. Appl. Phys. Lett. 64, 2480 (1994)
  4. M. Yin, A. Krier, R. Jones, S. Krier, D. Campbell. Proc. SPIE 6397, 639707 (2006)
  5. S.-H. Wei, A. Zunger. Phys. Rev. B 52, 12039 (1995)
  6. М.М. Григорьев, Э.В. Иванов, К.Д. Моисеев. ФТП 45, 1386 (2011).
  7. Р. Хадсон. Инфракрасные системы. Мир, М. (1972). 536 с
  8. G.B. Stringfellow. J. Cryst. Growth 62, 225 (1983)
  9. Landolt-Bornstein. Handbook. Numerical Data. Ser. III. Springer, Berlin, Heidelberg. 17a / Ed. O. Madelung, (1982) 264 p.; 22a / Ed. K.-H. Hellwege, (1987) 305 p
  10. Y. Lacroix, C.A. Tran, S.P. Watkins, M.L.W. Thewalt. J. Appl. Phys. 80, 6416 (1996)
  11. M.P. Mikhailova, K.D. Moiseev, Yu.P. Yakovlev. Semicond. Sci. Technol. 19, R109 (2004)
  12. К.Д. Моисеев, В.В. Романов, Ю.А. Кудрявцев. ФТТ 58, 2203 (2016)
  13. G.B. Stringfellow. Organometallic Vapor-Phase Epitaxy: Theory and Practice. 2nd ed. Academic Press, San Diego, USA. (1999) 599 p
  14. J.H. van der Merwe. Phys. Rev. B 37, 2892 (1988)
  15. T. Fukui, Y. Horikoshi. Jpn. J. Appl. Phys. 19, L53 (1980).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.