Исследовано влияние различных доз электронного облучения на диэлектрическую проницаемость и удельную электропроводность тройных нелинейно-оптических кристаллов AgGaSe₂ на различных частотах измерительного поля в интервале температур 100-300 K. Обнаружено, что облучение монокристаллов приводит к уменьшению значений диэлектрической проницаемости и значительному возрастанию электропроводности. Показано, что с ростом температуры диэлектрическая проницаемость и электропроводность увеличиваются. Установлено, что для кристаллов AgGaSe₂ характерно наличие нескольких типов проводимости. Обнаружена существенная частотная дисперсия диэлектрических свойств исследованных кристаллов. Ключевые слова: нелинейно-оптические кристаллы, диэлектрическая проницаемость, удельная электропроводность, температурная зависимость, дисперсия, электронное облучение.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.