Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Изучение микроструктуры кристаллов Si, подвергнутых облучению быстрыми Н⁺-ионами и термообработке, методами высокоразрешающей трехкристальной рентгеновской дифрактометрии и электронной просвечивающей микроскопии

DOI: 10.21883/FTT.2019.10.48245.498

Переводная версия: 10.1134/S1063783419100068

Асадчиков В.Е.¹, Дьячкова И.Г.¹, Золотов Д.А.¹, Чуховский Ф.Н.¹, Сорокин Л.М.²

¹Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия Shubnikov Institute of Crystallography “Crystallography and Photonics”, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Shubnikov Institute of Crystallography “Crystallography and Photonics”, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: sig74@mail.ru

Поступила в редакцию: 29 мая 2019 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2019 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Были изучены структурные особенности образования радиационных дефектов в имплантированных протонами слоях кремниевых пластин в процессе их термической обработки. Из анализа результатов исследований методами высокоразрешающей трехкристальной рентгеновской дифрактометрии и просвечивающей электронной микроскопии, получены новые данные о природе, характеристиках и концентрации микродефектов в кристаллах Si, облученных протонами с энергиями 100+200+300 keV, с общей дозой 2·10¹⁶ cm^-2, и эволюции дефектной структуры при термообработке в широком диапазоне температур от 200 до 1100^oС. Ключевые слова: кремний, ионы водорода, трехкристальная рентгеновская дифрактометрия, просвечивающая электронная микроскопия, постимплантационный отжиг, радиационные дефекты.

W. Wesch, El. Wendler. Ion Beam Modification of Solids. Springer International Publishing, Switzerland (2016). 534 p
K. Kurita, T. Kadono, R. Okuyama, S. Shigemastu, R. Hirose, A. Onaka-Masada, H. Okuda. Phys. Status Solidi A 214, 7, 1700216 (2017)
M. Kulka. Current Trends in Boriding. Springer International Publishing (2019). 293 p
L. Chi. Control of silver and silicon microstructure via low dose ion implantation. Doctoral dissertation. (2019)
M.S. Miao, W. R.L. Lambrecht. Mater. Sci. Forum 527-529, 641 (2006)
P. Deshpande, S. Vilayurganapathy, K.N. Bhat, A. Ghosh. Appl. Phys. A 125, 3, 181 (2019)
M. Bruel. Electron. Lett. 31, 14, 1201 (1995)
I.E. Tyschenko, V.P. Popov. Adv. Semicond. Nanostruct. 17, 409 (2017)
M.J. Tadjer. ECS J. Solid State Sci. Technology 8., 7, 3187 (2019)
T. Vogl. Nature Commun. 10, 1, 1202 (2019)
M.S. Salem, A. Zekry, A. Shaker, M. Abouelatta-Ebrahim. Semicond. Sci. Technology 34, 3, (2019)
П.А. Александров, Е.К. Баранова, И.В. Баранова, В.В. Бударагин, В.Л. Литвинов. Тр. XII Междунар. совещания "Радиационная физика твердого тела" / Под ред. Г.Г. Бондаренко. Севастополь, 1-6 июля 2002 г. НИИ ПМТ МГИЭМ (ТУ) М. 149 (2002)
И.Г. Дьячкова, Е.Г. Новоселова, И.С. Смирнов. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования 6, 108 (2018)
А.М. Афанасьев, П.А. Александров, Р.М. Имамов. Рентгеновская структурная диагностика в исследовании приповерхностных слоев монокристаллов. Наука, M. (1986). 153 с
В.Б. Молодкин, С.И. Олиховский, М.Е. Осиновский, В.В. Кочелоб, А.Ю. Казимиров, М.В. Ковальчук, Ф.Н. Чуховский. Металлофизика 6, 3, 7 (1984)
L.A. Charniy, K.D. Scherbachev, V.T. Bublik. Phys. Status Solidi A 128, 2, 303 (1991)
К.Д. Щербачев, В.Т. Бублик. Завод. лаборатория 60, 8, 28 (1994)
P. Ehrhart, U. Schlagheck. J. Phys. F 4, 10, 1575 (1974)
А.А. Ломов, В.А. Бушуев, Р.М. Имамов, К. Бокки, П. Францози. Кристаллография 44, 4, 674 (1999)
М.А. Кривоглаз. Дифракция рентгеновских лучей и нейтронов в неидеальных кристаллах. Наук. думка, Киев. (1983). 407 с
H. Trinkaus. Z. Ang. Phys. 31, 229 (1971)
N. Hueging, K. Tillmann, M. Luysberg, H. Trinkaus, K.Urban. Inst. Phys. Conf. Ser. 180, 373 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель