Вышедшие номера
Электропроводность и барьерные свойства тонких пленок ниобата лития*
Переводная версия: 10.1134/S106378341804011X
Гудков С.И.1, Бакланова К.Д.1, Каменщиков М.В.1, Солнышкин А.В.1,2, Белов А.Н.2
1Тверской государственный университет, Тверь, Россия
2Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники", Москва, Зеленоград, Россия
Email: sergej-gudkov-i@yandex.ru
Выставление онлайн: 20 марта 2018 г.

Методами вольт-фарадных и вольт-амперных характеристик исследованы тонкопленочные структуры на основе LiNbO3, сформированные различными способами: методом лазерной абляции и методом магнетронного распыления. По вольт-фарадным характеристикам определена величина потенциального барьера на интерфейсе Si-LiNbO3 для обоих типов пленок. Анализ вольт-амперных характеристик выявил наличие в исследуемых структурах нескольких механизмов проводимости. В пленке LiNbO3, изготовленной методом лазерной абляции, основной вклад в электропроводность дают эффект Пула-Френкеля и токи, ограниченные пространственным зарядом. В пленочной гетероструктуре, изготовленной методом магнетронного распыления, основной механизм --- токи, ограниченные пространственным зарядом. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского научного фонда (грант N 15-19-00138). DOI: 10.21883/FTT.2018.04.45685.09D
  1. Ю.С. Кузьминов. Электрооптический и нелинейно-оптический кристалл ниобата лития. Наука, М. (1987). 264 с
  2. Н.В. Сидоров, Т.Р. Волк, Б.Н. Маврин, В.Т. Калинников. Ниобат лития: дефекты, фоторефракция, колебательный спектр, поляритоны. Наука, М. (2003). 255 с
  3. Piezoelectric MEMS Resonators / ed. by Harmeet Bhugra and Gianluca Piazza. Springer International Publishing, Switzerland. (2017). 424 p
  4. L. Cai, Y. Wang, H. Hu. Optics Lett. 40, 3013 (2015)
  5. L. Cai, S. Li, H. Han, H. Hu. Optics Express 23, 1240 (2015)
  6. R. Bhatt, I. Bhaumik, S. Ganesamoorthy, R. Bright, M. Soharab, A. Kumar Karnal, P. Kumar Gupta. Crystals 7, 23 (2017)
  7. Д.А. Киселев, Р.Н. Жуков, А.С. Быков, М.И. Воронова, К.Д. Щербачев, М.Д. Малинкович, Ю.Н. Пархоменко. Неорган. материалы 50, 453 (2014)
  8. С.В. Евдокимов, А.В. Яценко. ФТТ 48, 317 (2006)
  9. Э.Х. Родерик. Контакты маталл-полупроводник. Радио и связь, М. (1982). 208 с
  10. B.H. Park, S.J. Hyun, C.R. Moon, Byung-Doo Choe, J. Lee, C.Y. Kim, W. Jo, T.W. Noh. J. Appl. Phys. 84, 4428 (1998)
  11. M. Maleto, E. Pevtsov, A. Sigov, A. Svotina. Integrated Ferroelectrics: J. 43, 65 (2002)
  12. К.Л. Чопра. Электрические явления в тонких пленках / Пер. с англ. А.Ф. Волкова, Е.И. Гиваргизова, П.И. Перова, В.И. Покалякина, под ред. проф. Т.Д. Шермергора. Мир, М. (1972). 424 с
  13. В.И. Фистуль. Введение в физику полупроводников. Высш. школа, М. (1984). 352 c
  14. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников. Наука, М. (1990). 672 c.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.