Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности поведения доменной структуры кристаллов BaTiO3 в процессе термического нагрева и охлаждения*
Переводная версия: 10.1134/S1063783418040157 
Министерство образования и науки РФ , 16.2811.2017/4.6
Министерство образования и науки РФ , 11.9706.2017/7.8
Министерство образования и науки РФ , 14.Z50.31.0034
Киселев Д.А.
1, Ильина Т.С.1, Малинкович М.Д.
1, Сергеева О.Н.
2, Большакова Н.Н.
2, Семенова Е.М.
2, Кузнецова Ю.В.
2
1Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия 
2Тверской государственный университет, Тверь, Россия
2Тверской государственный университет, Тверь, Россия
Email: dm.kiselev@gmail.com, malinkovich@yandex.ru, o_n_sergeeva@mail.ru, semenova_e_m@mail.ru, kuznecova_y_v@mail.ru
Выставление онлайн: 20 марта 2018 г.
Представлены результаты исследования доменной структуры кристаллов титаната бария в широком температурном интервале, включая точку Кюри (TC), поляризационно-оптическим методом в отраженном свете и с помощью силовой микроскопии пьезоэлектрического отклика. Показано, что в процессе циклического нагревания кристалла выше TC и последующего охлаждения в сегнетоэлектрическую фазу образуется новая a-c доменная структура. Обсуждается роль нескомпенсированных зарядов, возникающих при фазовом переходе на поверхности кристалла и их влияние на формирование доменной структуры в процессе охлаждения. Исследования методами сканирующей зондовой микроскопии выполнены при финансовой поддержке Министерства образования и науки РФ на оборудовании ЦКП "Материаловедение и металлургия" НИТУ "МИСиС". Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки РФ (проекты N 16.2811.2017/4.6, N 11.9706.2017/7.8, N 14.Z50.31.0034). DOI: 10.21883/FTT.2018.04.45684.01D
- И.С. Желудев. Основы сегнетоэлектричества. Атомиздат, М. (1973). 472 с
- А.С. Сидоркин. Доменная структура в сегнетоэлектриках и родственных материалах. Физматлит, М. (2000). 240 с
- S.V. Kalinin, D.A. Bonnell. J. Appl. Phys. 87, 3950 (2000)
- T. Limboeck, E. Soergel. Appl. Phys. Lett. 105, 152901 (2014)
- J. Doring, L. Eng, S.C. Kehr. J. Appl. Phys. 120, 084103 (2016)
- В.К. Новик, А.М. Лотонов, Н.Д. Гаврилова. ФТТ 55, 1557 (2013)
- Н.Н. Большакова, О.В. Большакова, В.В. Иванов, Т.И. Иванова, Н.Н. Черешнева. ФТТ 48, 1064 (2006)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
