Вышедшие номера
Влияние температуры спекания на формирование сегнетоэлектрических свойств керамики цирконата-титаната свинца
Переводная версия: 10.1134/S1063783418040042
Министерства образования и науки Российской Федерации, Государственное задание Министерства образования и науки РФ, N 3.8032.2017/БЧ
Барабанова Е.В. 1, Топчиев А.А. 1, Малышкина О.В. 1
1Тверской государственный университет, Тверь, Россия
Email: pechenkin_kat@mail.ru
Поступила в редакцию: 16 октября 2017 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2018 г.

Исследовалось влияние температуры спекания на формирование микроструктуры, доменной структуры и сегнетоэлектрических свойств пьезокерамики системы цирконата-титаната свинца Pb(TixZr1-x)O3. Показано, что формирование сегнетоэлектрической фазы происходит при температуре спекания 860oC. При дальнейшем увеличении температуры спекания основное влияние на свойства оказывают деформация элементарной ячейки и свободные носители зарядов. Работа выполнена в Центре коллективного пользования Тверского государственного университета при финансовой поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации N 3.8032.2017/БЧ. DOI: 10.21883/FTT.2018.04.45686.291
  1. D619: Piezoelectric Materials --- Global Technology Developments. www.frost.com
  2. B.L. Gupta, T. Abraham. ET-102 Piezoelectric Operated Actuators and Motors --- A Global Industry and Market Analysis. Innovative Research and Products, Inc., Stamford (2006). 111 p
  3. E. Gusev, E. Garfunkel, A. Dideikin. Advanced Materials and Technologies for Micro/Nano-Devices, Sensors and Actuators. NATO Science for Peace and Security Series --- B: Physics and Biophysics. Springer Verlag, Germany (2010). 313 p
  4. S.B. Choi, Y.M. Han. Piezoelectric Actuators: Control Applications of Smart Materials. CRC Press, N.Y. (2010). 280 p
  5. В.А. Головнин, И.А. Каплунов, О.В. Малышкина, Б.Б. Педько, А.А. Мовчикова. Физические основы, методы исследования и практическое применение пьезоматериалов. Техносфера, М. (2013). 272 с
  6. Г.М. Константинов, М.Ф. Куприянов, Б.Г. Корницкий, А.Е. Панич, Ю.С. Дудек. ЖТФ 60, 109 (1990)
  7. А.М. Антоненко, А.Ю. Кудзин, М.Г. Гавшин. ФТТ 39, 920 (1997)
  8. O.V. Malyshkina, E.V. Barabanova, A.I. Ivanova, A.V. Daineko, V.A. Golovnin. Ferroelectrics 475, 82 (2015)
  9. C.A. Randall, D.J. Barber, R.W. Whatmore. J. Mater. Sci. 22, 925 (1987)
  10. S. Dunn, C.P. Shaw, Z. Huang, R.W. Whatmore. Nanotechnology 13, 456 (2001)
  11. P.R. Potnis, N.-T. Tsou, J.E. Huber. Materials 4, 417 (2011)
  12. И.С. Желудев. Физика кристаллических диэлектриков. Наука, М. (1968). 464 с
  13. W. Cao, C.A. Randall. J. Phys. Chem. Solids 57, 1499 (1996)
  14. Ю.М. Поплавко, Л.П. Переверзева, И.П. Раевский. Физика активных диэлектриков. Изд-во Южного федерального ун-та. Ростов н/Д. (2009). 480 с
  15. К. Окадзаки. Технология керамических диэлектриков. Пер. с яп. Энергия, М. (1976). 336 с
  16. S. Choudhury, L.Q. Chen, Y.L. Li. Appl. Phys. Lett. 91, 032902:1 (2007).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.