Влияние температуры спекания на формирование сегнетоэлектрических свойств керамики цирконата-титаната свинца
Министерства образования и науки Российской Федерации, Государственное задание Министерства образования и науки РФ, N 3.8032.2017/БЧ
Барабанова Е.В.
1, Топчиев А.А.
1, Малышкина О.В.
11Тверской государственный университет, Тверь, Россия
Email: pechenkin_kat@mail.ru
Поступила в редакцию: 16 октября 2017 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2018 г.
Исследовалось влияние температуры спекания на формирование микроструктуры, доменной структуры и сегнетоэлектрических свойств пьезокерамики системы цирконата-титаната свинца Pb(TixZr1-x)O3. Показано, что формирование сегнетоэлектрической фазы происходит при температуре спекания 860oC. При дальнейшем увеличении температуры спекания основное влияние на свойства оказывают деформация элементарной ячейки и свободные носители зарядов. Работа выполнена в Центре коллективного пользования Тверского государственного университета при финансовой поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации N 3.8032.2017/БЧ. DOI: 10.21883/FTT.2018.04.45686.291
- D619: Piezoelectric Materials --- Global Technology Developments. www.frost.com
- B.L. Gupta, T. Abraham. ET-102 Piezoelectric Operated Actuators and Motors --- A Global Industry and Market Analysis. Innovative Research and Products, Inc., Stamford (2006). 111 p
- E. Gusev, E. Garfunkel, A. Dideikin. Advanced Materials and Technologies for Micro/Nano-Devices, Sensors and Actuators. NATO Science for Peace and Security Series --- B: Physics and Biophysics. Springer Verlag, Germany (2010). 313 p
- S.B. Choi, Y.M. Han. Piezoelectric Actuators: Control Applications of Smart Materials. CRC Press, N.Y. (2010). 280 p
- В.А. Головнин, И.А. Каплунов, О.В. Малышкина, Б.Б. Педько, А.А. Мовчикова. Физические основы, методы исследования и практическое применение пьезоматериалов. Техносфера, М. (2013). 272 с
- Г.М. Константинов, М.Ф. Куприянов, Б.Г. Корницкий, А.Е. Панич, Ю.С. Дудек. ЖТФ 60, 109 (1990)
- А.М. Антоненко, А.Ю. Кудзин, М.Г. Гавшин. ФТТ 39, 920 (1997)
- O.V. Malyshkina, E.V. Barabanova, A.I. Ivanova, A.V. Daineko, V.A. Golovnin. Ferroelectrics 475, 82 (2015)
- C.A. Randall, D.J. Barber, R.W. Whatmore. J. Mater. Sci. 22, 925 (1987)
- S. Dunn, C.P. Shaw, Z. Huang, R.W. Whatmore. Nanotechnology 13, 456 (2001)
- P.R. Potnis, N.-T. Tsou, J.E. Huber. Materials 4, 417 (2011)
- И.С. Желудев. Физика кристаллических диэлектриков. Наука, М. (1968). 464 с
- W. Cao, C.A. Randall. J. Phys. Chem. Solids 57, 1499 (1996)
- Ю.М. Поплавко, Л.П. Переверзева, И.П. Раевский. Физика активных диэлектриков. Изд-во Южного федерального ун-та. Ростов н/Д. (2009). 480 с
- К. Окадзаки. Технология керамических диэлектриков. Пер. с яп. Энергия, М. (1976). 336 с
- S. Choudhury, L.Q. Chen, Y.L. Li. Appl. Phys. Lett. 91, 032902:1 (2007).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
