Издателям
Вышедшие номера
Прогресс в выращивании кристаллов и изучении широкозонных полупроводниковых материалов
Водаков Ю.А.1, Мохов Е.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mokhov@sic.ioffe.rssi.ru
Выставление онлайн: 19 апреля 1999 г.

Демонстрируются возможности сублимационного сэндвич-метода для контролируемого роста монокристаллов и эпитаксиальных слоев различных политипов SiC и GaN. Управляемое получение чистых (ni<1616 cm-3) и сильно легированных кристаллов и эпитаксиальных слоев этих материалов позволило подробно изучить их полупроводниковые параметры, идентифицировать природу ряда важнейших примесных центров. На примере SiC установлено, что большая энергия химической связи атомов, характерная для этих соединений, является причиной образования устойчивых метастабильных состояний, в том числе ассоциатов и кластеров, включающих собственныe дефекты, существенно влияющих на свойства материала. Кластеры, образующиеся на поверхности, при росте кристаллов могут быть источниками зарождения различных политипов.
  • H. Morkoc, S. Strite, G.B. Gao, M.E. Lin, B. Sverdlov, M. Burns. J. Appl. Phys. 76, 13639 (1994)
  • Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг, В.В. Семенов, В.И. Соколов. В сб.: Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников. Л. (1979). С. 164
  • Ю.А. Водаков, Е.Н. Мохов. Способ получения полупроводникового карбида кремния. А. с. N 403275 (1970); Patents UK: N 1458445 (1977); Germany: N 2409005 (1977); USA N 414572 (1979)
  • Ю.А. Водаков, М.И. Карклина, Е.Н. Мохов, А.Д. Роенков, Неорган. материалы 16, 537 (1980)
  • Yu.A. Vodakov, A.D. Roenkov, M.G. Ramm, E.N. Mokhov, Yu.N. Makarov. Phys. Stat. Sol. 202, 177, (1997)
  • Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov, A.D. Roenkov, M.E. Boiko, P.G. Baranov. J. Cryst. Growth 183, 10 (1998)
  • Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov, M.G. Ramm, A.D. Roenkov. Springer Proc. Phys. 56, 329 (1992)
  • Е.Н. Мохов. Автореф. докт. дис. СПб (1998)
  • Ю.А. Водаков, Е.Н. Мохов, А.Д. Роенков, М.М. Аникин. Письма в ЖТФ 5, 367 (1979)
  • Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов. ФТТ 24, 1377 (1982)
  • Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov. Point Defects in Silicon Carbide. Inst. Phys. Conf. Ser. N 137, Сh. 3, 197 (1994)
  • E.N. Mokhov, Yu.A. Vodakov. Inst. Phys. Conf. Ser. N 155, Ch. 3, 177 (1997)
  • G.V. Saparin, S.K. Obyden, P.V. Ivannikov, E.N. Mokhov, A.D. Roenkov. Scanning 19, 269 (1997)
  • E.N. Mokhov, A.D. Roenkov, G.V. Saparin, S.K. Obyden. Scanning 18, 67 (1996)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.