Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Пленки легированного галлием оксида цинка, нанесенные с использованием несбалансированной магнетронной распылительной системы

Захаров А.Н.¹, Оскомов К.В.¹, Работкин С.В.¹, Соловьев А.А.¹, Сочугов Н.С.¹

¹Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия Institute of High Current Electronics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Tomsk, Russia

Institute of High Current Electronics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Tomsk, Russia

Email: zare17@yandex.ru

Поступила в редакцию: 1 апреля 2009 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2010 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Приведены результаты экспериментов по нанесению пленок легированного галлием оксида цинка при помощи несбалансированной магнетронной распылительной системы. Напыление пленок проводилось с использованием распыления на постоянном токе проводящей керамической мишени в атмосфере аргона. Температура подложек составляла 150^oC. Морфология полученных пленок исследовалась методами растровой электронной и атомно-силовой микроскопии. Показано, что с увеличением степени несбалансированности магнетрона улучшаются электрофизические свойства пленок, получаемые на оси системы. При этом распределение удельного сопротивления покрытия на поверхности подложки становится более равномерным.

Hong R.J., Jiang X., Szyszka B. et al. // J. of Crystal Growth. 2003. Vol. 253. P. 117--128
Minami T. // MRS Bull. 2000. Vol. 25. P. 38
Minami T. // Semicond. Sci. Technol. 2002. Vol. 20. P. S35
Tominaga K., Yuasa T., Kume M., and Tada O. // Jpn. J. Appl. Phys. 1985. Vol. 24. P. 944--949
Minami T., Miyata T., Yamamoto T., Toda H. // J. Vac. Sci. Technol. 2000. A 18. P. 1584
Minami T., Ohtani Y., Miyata T., and Kuboi T. // J. Vac. Sci. Technol. 2007. A 25. P. 1172
Smith S. // Int. Mater. Rev. 1990. Vol. 35. N 2. P. 61
Petrov I., Abibi F., Greene J.E. et al. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1992. Vol. 10. P. 3283--3287
Ivanov I., Kazansky P., Hultman L. et. al. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1994. Vol. 12. P. 314--320
Соловьев А.А., Сочугов Н.С., Оскомов К.В., Работкин С.В. // Физика плазмы. 2009. Т. 35. N 4. C. 1--10
Field D.J., Dew S.K., Burrell R.E. // J. Vac. Sci. Technol. A. 2002. Vol. 20. P. 2032--2041
Chang J.F., Hon M.H. // Thin Solid Films. 2001. Vol. 386. P. 79--86
Window B., Harding G.L. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1990. Vol. 8. P. 1277--1282

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель