Вышедшие номера
Энергии связи 2p электронов кремния в силицидах железа
Гомоюнова М.В.1, Пронин И.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Marina.Gomoyunova@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 29 сентября 2009 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2010 г.

Проанализированы и обобщены экспериментальные данные по энергиям связи Si 2p электронов в ряде стабильных и метастабильных силицидов железа, сформированных методом твердофазной эпитаксии на двух реконструированных гранях монокристаллического кремния - Si(100)2x 1 и Si(111)7x 7. Измерения спектров остовных электронов проводились методом фотоэлектронной спектроскопии высокого энергетического разрешения с использованием синхротронного излучения. Показано, что значения энергии связи Si 2p электронов в стабильных силицидах, а также твердом растворе кремния в железе, возрастают с увеличением содержания в них кремния. Это обусловлено ослаблением роли межатомной релаксации в акте возбуждения фотоэлектрона.